碳化硅加热元件的电性能和使用

本文介绍碳化硅加热元件的电特性、表面负荷以及工作气氛对它的影响，并对它设计和使用要点举例予以说明。     

日本半导体工业生产的动向——赴日考察报告之二

日本是个电子工业高度发达的国家。正如日本电子机械工业会副会长片岡勝太郎先生所说,以前衡量一个国家的工业水平主要是看钢铁工业生产,现在则要看半导体工业生产,在日本,现在半导体工业生产已超过钢铁工业生产,超过了欧洲。这可看成是日本半导体工业生产现状的一个概括。如果把日本1972年的半导体工业产值看成1,到82年,10年时间内其产值增加了将近10倍,其产品遍及国民经济各个领域。     

隧道窑中工件的温度响应

本文讨论隧道窑中工件的温度响应，结果表明。工件所经历的温度过程相对于隧道窑设定的温度曲线而言，会出现温度滞后。文章介绍了影响温度滞后的若干因素。     

简化扩散泵泵芯结构的探讨

本文介绍生产显像管排气过程中扩散泵的使用情况，在分析该情况下扩散泵的使用周期和扩散泵油分馏作用的基础，为此种扩散泵泵芯设计可以不考虑分馏作用，从而将泵芯结构简化。并报导新设计的泵芯结构及主要实验结果。     

分子束外延生长GaAs单晶薄膜

本文报导首次用自制的分子束外延(MBE)炉生长GaAs单晶薄膜的初步工艺实验。用一个喷射炉装GaAs多晶作As源,另一个喷射炉装Ga作Ga源。把GaAs(100)衬底腐蚀、清洗后置于衬底台上,调节喷射炉的温度使分子束强度比(As_2)/()Ga为5～10左右,其衬底保持在适当温度时进行外延生长。从电子衍射的花样和外延层厚度等测试结果表明:使用MBE成功地生长出了GaAs单晶薄膜。     

窑墙表面温度与散热损失

本文讨论窑墙表面温度与窑墙散热损失的关系．指出窑墙表面温度是衡量窑炉散热损失的主要指标。优化窑墙的隔热保温结构是窑炉节能的重要途径。     

窑墙温度分布及计算和图解方法

本文讨论窑墙的温度分布。在稳态导热情况下，对于工程中常见的多层复合结构窑墙，无论是直墙还是圆柱形墙，其窑墙温度分布与窑墙热阻呈线性关系。利用这一关系，通过计算或图解，容易得到工程计算结果。这种线性关系还有助于窑炉计算机辅助设计时数学模型的建立。