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通过溶胶-凝胶法制备了具有白光发射的Gd4Ga2O9:x%Dy3+荧光粉,利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和荧光光谱等对产物的物相结构、形貌、组分和光学性能进行研究,并分析了Dy3+掺杂量对样品的影响。XRD结果表明,所制备的样品为Dy3+掺杂的Gd4Ga2O9单斜晶体和少量Ga2O3杂质相的混合物。紫外-可见漫反射光谱结果表明制备的Dy3+掺杂Gd4Ga2O9晶体是一种光学带隙为5.29 eV的直接带隙半导体。荧光检测结果表明Dy3+掺杂Gd4Ga2O9荧光粉可被属于Gd3+ 相似文献
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