多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展

FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料，改善光电转换效率是主要研究方向，而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展，分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响，介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制，讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。     

晶体面缺陷对FeS2薄膜电学性能的影响

采用Fe膜热硫化技术制备了具有不同比表面积和比晶界面积的FeS2薄膜,并测定其载流子浓度和电阻率,研究了FeS2薄膜表面和晶界等面缺陷对FeS2薄膜电学性能的影响.结果表明,表面和晶界两种面缺陷对FeS2薄膜的电学性能有类似的影响规律.在一定范围内,随着薄膜比表面积和比晶界面积的增大,载流子浓度提高而电阻率下降.面缺陷数量的变化可导致FeS2晶体中点缺陷数量、禁带中缺陷能级密度、不充分相变产物比例和相变应力水平的变化,从而导致载流子浓度和电阻率的变化.