封面图片说明

正高密度存储、快速读写磁性逻辑器件是磁学领域中人们一直关注与研究的课题.随着人们对数据存储密度和读写速度要求的提高,磁畴壁的研究引起人们的高度关注.本期封面图片展示的是北京科技大学材料学院姜勇教授研究团队在磁畴壁研究方面取得的近期研究成果.该团队在超高真空室蒸镀制备了Ni80Fe20纳米环,并通过微纳加工得到纳米点接触结     

自旋畴壁动力学的若干研究进展

磁畴壁运动是实现信息高速存储的新途径,而畴壁调控领域的研究目前尚不全面.探索磁场、电流及其他物理场对磁畴壁的作用,在理论与实际应用方面均具有重要意义.本文简述了近年来磁畴壁的自旋结构、磁畴壁电阻及磁畴壁动力学的若干研究进展,阐述了磁畴壁研究的主要方向、方法以及重要性,分析了形状结构对畴壁类型的影响和各种外场对畴壁运动的调控,提出了通过对磁畴壁的精确操控,可实现信息存储.展望了利用外场调控磁畴壁,为信息读写或逻辑控制提供新途径,在未来信息存储领域具有潜在的应用价值.