恒稳磁场对TA2钛合金表面矿化膜性能的影响研究

以TA2钛合金多孔氧化膜为植入体,在其表面进行羟基磷灰石(HA)矿化改性,重点探讨了恒稳磁场对矿化膜的结构组成、表面形貌、粗糙度、耐摩擦性能及耐蚀性能的影响规律.研究结果表明:通过改变恒稳磁场的强度,能够调控在多孔氧化膜表面沉积矿化膜的含量和Ca/P比.当恒稳磁场为0.4 T时,钛合金矿化膜摩擦碎屑的Ca/P比达到原生HA的Ca/P比(1.67),具有很好的生物相容性.同时,恒稳磁场的诱导加速了HA的沉积,提高了植入体的耐磨性和耐腐蚀性能.     

沉积电流对Co-Pt-P薄膜耐蚀性的影响

采用电沉积技术制备了Co-Pt-P磁性薄膜,着重研究了沉积电流对镀层表面形貌及耐蚀性的影响。实验结果表明:当沉积电流为0.08A时,镀层晶粒连续、致密,自腐蚀电流密度最小,耐蚀性较好;当沉积电流小于0.08A时,镀层晶粒小且不均匀;当沉积电流大于0.08A时,镀层表面应力较大,呈现较多的裂纹。     

铝合金阳极氧化膜性能的研究

研究了2 024铝合金在硫酸溶液中经不同氧化电压阳极氧化处理后的表面形貌、组织结构、硬度和耐蚀性。结果表明:铝合金经不同氧化电压阳极氧化处理后,其表面上存在纳米级的孔洞;随着氧化电压的增大,孔径逐渐增大,膜厚增加;阳极氧化膜的硬度在氧化电压为20V时最大;氧化电压对阳极氧化膜耐蚀性的影响很大,在氧化电压为5V时,阳极氧化膜的耐蚀性最强,自腐蚀电位为-1.1V。     

Ni-Co磁性薄膜的电化学沉积及磁性能

研究了电流密度和温度对电沉积Ni-Co薄膜形貌、晶体结构及磁性能的影响。结果表明:随着电流密度的增加,Ni-Co薄膜的比饱和磁化强度先增大后减小,在200A/m2时达到最大值;电流密度对薄膜的结晶度和晶粒尺寸均有影响;在较高温度下制备的薄膜表面较粗糙,这是由于温度的升高致使析氢加剧。     

电流密度对电沉积钴-铁-二氧化锆复合镀层性能的影响

在由FeSO₄·7H₂O 30 g/L、Co SO₄·7H₂O 30 g/L、H₃BO₃ 30 g/L和抗坏血酸1 g/L组成的Co–Fe合金镀液中添加10 g/L自制纳米Zr O₂溶胶,电沉积得到Co–Fe–Zr O₂复合镀层。研究了电流密度对Co–Fe–Zr O₂复合镀层微观结构、厚度、显微硬度和耐蚀性的影响。结果表明,随电流密度从5 mA/cm²增大到30 mA/cm²,Co–Fe–ZrO₂复合镀层的晶粒细化,ZrO₂颗粒复合量、厚度和显微硬度均增大,耐蚀性先改善后变差。当电流密度为25 mA/cm²时,Co–Fe–ZrO₂复合镀层的厚度为18.6μm,显微硬度为349 HV,表面平整致密,耐蚀性最佳。     

磁场下电沉积制备Co-W合金镀层

在磁场下电沉积制备Co-W合金镀层,研究了磁场强度对镀层沉积速率、微观形貌、成分以及磁性能等的影响。结果表明:沉积速率随着磁场强度的增大而显著提高;洛伦兹力可以降低电极表面的浓差极化,避免氢气的析出,使镀层均匀、致密;随着磁场强度的增大,镀层的比饱和磁化强度逐渐增大,而矫顽力呈先增大后减小的趋势,当磁场强度为0.5T时,矫顽力最大。     

化学镀制备Co-Pt-Mo合金镀层

采用化学镀制备Co-Pt-Mo合金镀层,研究了pH值及温度对镀层表面形貌、成分和磁性能的影响.结果表明:随着pH值的升高,镀层中钴的质量分数增加,致使镀层的比饱和磁化强度增大;温度对镀层的成分及矫顽力并无影响,但是温度过高时反应速率过快,致使镀层表面出现“孔洞”.     

电沉积Co-Mo-P磁性薄膜的结构及磁性能研究(英文)

通过电化学沉积方法制备了Co-Mo-P磁性薄膜。对电化学沉积速率、薄膜成分、微结构及磁性能进行了研究。结果表明,镀液温度是影响Co-Mo-P电化学沉积的主要因素。薄膜组成对Co-Mo-P的微结构及磁性能有很大影响。当次磷酸钠的浓度从0mol/L增到0.05mol/L时,在XRD图谱上观察到相变。在沉积电流密度为20mA/cm2,沉积温度为40℃,薄膜中P含量为6.05at%([H2PO2-]=0.02mol/L)时,得到的薄膜饱和磁化强度为139(A·m2)/kg,矫顽力为6926Am-1。在此条件下所制备的薄膜具有良好的软磁性。     

镀液pH值对Co-Pt-W薄膜磁性能的影响(英文)

研究了溶液pH值对电沉积Co-Pt-W磁性能的影响。通过VSM,SEM及XRD技术分析研究了薄膜的磁性能和微结构。M-T磁化曲线表明,在不同pH值的溶液中所制备的磁性薄膜呈现出不同的热磁行为。在高pH值(pH=8.5)的情况下,所制备的薄膜随着温度升高,磁矩在降低;相反,在pH值为5.0的条件下,其磁矩则随着温度的升高先减小后增加,磁矩的降低对应于晶相的居里温度。VSM的测试表明,薄膜的矫顽力在很大程度上与溶液的pH值相关。同时,根据XRD的测试可知,磁性能的变化同样伴随着薄膜中相的转变。     

微细凹槽电沉积铜工艺及影响因素研究

微细凹槽内无空洞和缝隙缺陷铜填充是集成电路芯片铜布线制造工艺技术需解决的关键问题.采用酸性镀铜工艺,在镀铜硅片上开展了微细凹槽内电沉积铜填充研究;采用正交试验法和单因素实验,分析了电沉积过程中重要因素的影响排序和作用机理.研究结果表明,各影响因素数值的增加均能提高凹槽的填充率,电流密度和加速剂浓度的增加可以提高凹槽的填...