等离子氨化硅应力的研究

氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。     

三氟化氮与等离子体工艺

介绍了用NF_2代替传统使用的NH_3制备掺氟低氢等离子增强化学汽相淀积(PECVD)Six Ny:F膜、用NF_3代替CF_4等离子刻蚀超厚氮化硅薄膜的工艺试验条件和结果,对有关实际问题进行了讨论。     

玻璃钝化与真空技术

半导体器件制造是一种多学科多门类技术综合应用的系统工程。本文通过半导体器件中比较典型的一个分支，高反压台面晶体管关键工序玻璃化及其相关工序的讨论，介绍了真空技术在半导体生产中的广泛应用，从中可以看出半导体工艺与真空技术的紧密联系乃至深刻的依赖关系。     

PECVD工艺与真空技术

随着大规模集成电路技术的发展，对器件稳定性可靠性的要求越来越高，因此器件表面钝化技术也发展很快，其中等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术的开创和应用更为突出。而ＰＥＣＶＤ工艺与真空技术存在着极其密切的依附关系。本文通过理论和实践简要地讨论了这些关系的一些基本方面。了解和掌握有关的真空技术，对于ＰＥＣＶＤ工艺的进一步推广应用将有十分重要的意义。     

掺氟低氢PECVD氮化硅新工艺

现行工艺得到的PECVD氮化硅含氢量较高,以其为钝化介质的某些器件会出现电性能不稳定.为此本文介绍一种新的PECVD氮化硅工艺,它以NF_3代替传统的NH_3作气体源,从而获得了改进的掺氟低氢氮化硅薄膜.     

半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用

反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研究同步。但是由于SIPOS工艺具有一定的难度,普遍应用尚有待时日。文章简要介绍了我们在SIPOS工艺试验与应用方面所做的一些工作。