基于深度学习的配电网安全态势感知研究

配电网作为电力系统的关键环节,有必要识别配电网潜在危害,避免失稳。为了解决数据中噪声干扰的问题并提高态势预测准确性,提出了一种基于深度学习的配电网安全态势感知方法。首先,采集配电网运行量,利用奇异值分解（singular value decomposition,SVD）对运行量进行降噪;其次,分析运行量与安全态势的关系,采用评估值指标评估配电网态势;最后,利用注意力时域卷积网络（temporal convolution network-attention mechanism,TCNAM）对降噪后的输入数据预测得出态势评估值,预测配电网潜在危害,若失稳,则发出预警信号。通过对IEEE 33节点系统和实际配电网系统仿真可知,TCN-AM预测效果好,且进行降噪处理后预测准确性有所提高,能够在满足预警条件后,发出相应的预警信号。所提方法在降噪处理后能够更准确地实现配电网的安全态势感知。     

以就业为导向的高职院校3ds Max课程教学的探讨

如何满足社会需求,提高设计类专业毕业生的就业率,正是当前高职院校面临的一大问题.3dsMax课程是室内设计专业学生应该掌握的核心专业技能课程,因此它的教学应“以就业为导向”,引入实际项目,使学生能够学以致用,可以激发学生的学习兴趣,更好地掌握有关知识,增强实践能力,以利于其将来的就业.     

基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究

本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9:1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46:1的硅深孔样品.该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中.     

MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究

针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺。对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,掩膜技术等进行了实验研究,优化得到了最佳刻蚀条件。应用该技术成功地刻蚀出深度高达330μm的深槽,为MEMS元器件的加工提供了一种参考方法。     

MEMS加速度计的发展趋势研究

基于MEMS新型惯性传感器件的基础理论与结构设计研究,建立基于SOI材料的电容式MEMS加速度计模型理论,并总结出国内外MEMS加速度计的发展趋势,为其进一步研究提供一定的理论依据。     

采用PSG牺牲层的空腔结构平坦化工艺

对基于微机电系统(MEMS)采用磷硅玻璃(PSG)牺牲层的空腔结构平坦化工艺进行了研究。探讨了抛光液体积流量、抛光压力、抛光液种类对牺牲层抛光速率、均匀性和硅槽台阶高度的影响,并对膜层表面质量进行分析和表征。结果表明：二氧化硅类抛光液体积流量控制在120 mL/min,此时抛光速率最高且有利于节约成本;优化了抛光压力工艺参数,当晶圆背压和保持环压力之比为0.76,即当晶圆背压为320 g/cm³,保持环压力为420 g/cm³时,可有效地改善牺牲层薄膜的均匀性;引入二氧化铈类抛光液,采用两步抛光工艺,即粗抛时采用二氧化硅类抛光液,精抛时采用二氧化铈类抛光液,可以得到较为理想的台阶高度差;最后将化学机械抛光(CMP)后牺牲层表面形貌进行表征,得到较为优异的牺牲层薄膜质量。     

基于同步电流对比法的台区低压分支线识别仪的研究及应用

针对绕越计量装置的窃电行为，本文研制出台区低压分支线识别仪，能够在同一时间精确的检测地埋电缆两端的电流、电压等数值，对地埋电缆两端的测量误差小于0.5%，判定是否为同一根电缆，达到有效检测窃电的目的，对今后配网领域相关识别仪研究具有重要的参考价值。