对靶非平衡磁控溅射系统平面探针诊断

对靶非平衡磁控溅射系统由两个相对磁控溅射靶和一个磁镜场约束系统构成，通过强调电磁线圈的激励电流可以控制磁镜场的空间分布状态，测量了合成磁场的空间分布状态。采用平面探针方法，在两靶中间位置测量了收集电流密度。结果表明，探针的收集电流密度随磁镜场的激励电流增加显著增大，在偏压150V、工作气体Ar、压力0.2Pa和磁控溅射靶工作电流3A时，收集的电流密度可以达到5.77mA/cm^2。     

非平衡磁控溅射中调制磁场的作用

研究了调制磁场对于非平衡磁控溅射系统的作用，调制磁场可以使非平衡磁控溅射形成具有较高等离子体密度的等离子体束流，延伸到靶前110mm以上。在靶前60-110mm的位置上，收集电流密度高达9-10mA/cm^2，收集的电流密度比常规的磁控溅射方法高9倍以上，在调制磁场作用下磁控溅射沉积铜薄膜的沉积速率可以增加到14倍。     

脉冲偏压对矩形平面大弧源离子镀TiN 膜层性能的影响

采用矩形平面大弧源离子镀技术在201奥氏体不锈钢基体表面制备TiN硬质薄膜,研究了脉冲偏压对TiN膜层的表面形貌、相结构、硬度和耐磨性能的影响.结果表明,随着脉冲偏压的增大,薄膜中大颗粒的数目先增加后减少,这是大颗粒受到离子拖曳力和电场力双重作用的结果.存在一个最佳的脉冲偏压,使得制备出的TiN膜层具有较高的I(111)/I(200)比例和较高的耐磨性.脉冲偏压为-300 V时制备的TiN膜层具有最好的综合性能.     

Influence of Pulsed Bias Voltage on Surface Properties of TiN Thin Films Deposited by Arc Ion Plating with Big Rectangle Shaped Targets

采用矩形平面大弧源离子镀技术在201奥氏体不锈钢基体表面制备TiN硬质薄膜, 研究了脉冲偏压对TiN膜层的表面形貌、相结构、硬度和耐磨性能的影响. 结果表明, 随着脉冲偏压的增大, 薄膜中大颗粒的数目先增加后减少, 这是大颗粒受到离子拖曳力和电场力双重作用的结果. 存在一个最佳的脉冲偏压, 使得制备出的TiN膜层具有较高的I(111)/I(200)比例和较高的耐磨性. 脉冲偏压为-300 V时制备的TiN膜层具有最好的综合性能.     

镀膜机的微机控制

设计了磁控溅射-多弧镀膜机的微机控制系统．采用PLC可编程控制器与上位机进行数据传递和控制设备的控制方式。本微机控制系统中的真空镀膜机，设计了3套孪生磁控、10套多弧和8级工艺的过程控制，具有自动组合工艺和自控程序升级功能，从而实现多种工艺的镀膜要求。     

脉冲磁过滤阴极弧等离子体制备四面体非晶碳膜

介绍了脉冲磁过滤阴极电弧法制备四面体非晶碳膜(tetrahedral amorphous carbon即ta-C),并对制得的薄膜表面形貌、硬度、电阻等进行了测试.结果表明,脉冲磁过滤阴极电弧法制备的ta-C膜有优良的性能.拉曼光谱分析显示,制得的薄膜为非晶结构,有明显的sp3结构特征,符合ta-C膜的特征峰.