常见的住宅漏水原因及解决办法

本文简述住宅漏水部位及原因总结。     

WCp增强球铁基复合材料模具的制备及其磨损性能

针对耐火砖模具的工矿特点,将复合材料设计原理和铸造技术相结合,采用复合剂技术,在普通砂型条件下制备了WCp增强球墨铸铁基表层复合材料模具,并对其三体磨粒磨损性能进行了研究.结果表明,合适的球墨铸铁基体材料的主要成分w为3.7%C、2.1%Si、1.0%Cu和0.3%Mn;铸件表面平整,复合层厚度均匀,可达7～9 mm,复合组织的硬度达到HRC 62以上;复合材料相对于基体材料的耐磨性提高到8以上.     

OFDM系统在时变多径信道中的信道估计技术

提出了一种OFDM系统在时变多径信道中的信道估计算法。这种算法是将时变信道看作在一段时间内作线性变化的基础上,利用连续的两个OFDM信号帧内的导频信息,对信道的时变性进行估计。论文应用数值仿真的方法对这一算法进行了仿真分析。分析结果表明,与已有的OFDM系统在时变多径信道中的信道估计技术相比,所建议的算法可以有效地减小信道估计的误差。     

WCp增强钢基表层复合材料的两体磨粒磨损性能

在室温条件下,选用销盘磨粒磨损试验机,绿碳化硅磨料,研究增强相WC颗粒直径对WCp增强钢基表层复合材料磨损性能的影响,以正火ZG45作为标样,计算相对耐磨性ε值.研究结果表明,WCp增强钢基表层复合材料相对于正火ZG45的相对耐磨性ε值,随其增强相WC颗粒直径的变小而降低,当增强相WC颗粒直径大于150μm时,相对耐磨性ε值高达40左右,而当增强相WC颗粒直径小于100μm时,相对耐磨性ε值降低到5以下.     

Q235钢表面化学镀Ni-Cu-P的研究

用正交设计研究了Q235钢表面化学镀 Ni-Cu-P工艺对镀层质量、组织结构和性能的影响规律.结果表明:各因素对化学镀沉积速率影响的显著性顺序是:镍磷比> pH值>硫酸铜加入量>施镀温度> 柠檬酸钠加入量;实验条件下,较好的施镀工艺为:温度75 ℃,镍磷比0.25,pH值10.0,柠檬酸钠50 g/L;硫酸铜1.0 g/L;镀层显微硬度为Q235钢基体硬度的2.8倍,获得了磷含量超过11%的非晶镀层.     

PGJ1600金刚石锯片同心圆砂带抛光机及应用

本文介绍的金刚石锯片砂带抛光机，采用新颖的构思，合理的设计，使机器不但具有优越的性能，而且具有极高的效率，操作安全快捷方便，是金刚石锯片及基体生产厂家的必要设备。     

Q235钢表面化学镀Ni-P的研究

利用正交试验方法研究了Q235钢表面化学镀Ni-P工艺对镀层质量,组织结构和性能的影响规律.结果表明:各因素对镀速影响的显著性顺序是:施镀温度＞硼酸(络合剂)加入量＞pH值＞镍磷比[Ni2 ]/[H2PO2]＞乙酸钠(缓冲剂)加入量;Q235钢表面化学镀Ni-P的最佳工艺参数为:pH值5.4,施镀温度为80℃,镍磷比0.28(硫酸镍15 g/L,次亚磷酸纳20 g/L),硼酸5.5 g/L;所得镀层硬度为Q235钢基体硬度的3.4倍,获得了磷含量超过11%的非晶镀层.     

改进的基于底层虚拟机混淆器的指令混淆框架

针对底层虚拟机混淆器（OLLVM）在指令混淆层面只支持指令替换一种算法,且仅支持5种运算符和13种替换方案的问题,设计了一种改进版的指令混淆框架InsObf,以加强OLLVM指令层面的混淆效果。InsObf包含指令加花和指令替换,其中指令加花首先对基本块的指令进行依赖分析,然后插入叠加跳转和虚假循环两种花指令;指令替换在OLLVM的基础上,拓展至13种运算符,共计52种指令替换方案。在底层虚拟机（LLVM）上实现了框架原型后,通过实验表明,与OLLVM相比,InsObf在时间开销增长约10个百分点,空间开销增长约20个百分点的情况下,圈复杂度和抗逆向能力均可提高近4倍;与同样基于OLLVM改进的Armariris和Hikari相比,InsObf在同一量级的时空开销下,可以提供更高的代码复杂度。因此,InsObf可提供指令层级的有效保护。     

Temperature dependent interfacial and electrical characteristics during atomic layer deposition and annealing of HfO2 films in p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors

We have investigated the temperature dependent interfacial and electrical characteristics of p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors during atomic layer deposition(ALD) and annealing of HfO₂ using the tetrakis(ethylmethyl) amino hafnium precursor. The leakage current decreases with the increase of the ALD temperature and the lowest current is obtained at 300℃ as a result of the Frenkel-Poole conduction induced leakage current being greatly weakened by the reduction of interfacial oxides at the higher temperature. Post deposition annealing(PDA) at 500℃ after ALD at 300℃ leads to the lowest leakage current compared with other annealing temperatures. A pronounced reduction in As oxides during PDA at 500℃ has been observed using X-ray photoelectron spectroscopy at the interface resulting in a proportional increase in Ga₂O₃. The increment of Ga₂O₃ after PDA depends on the amount of residual As oxides after ALD. Thus, the ALD temperature plays an important role in determining the high-k/GaAs interface condition. Meanwhile, an optimum PDA temperature is essential for obtaining good dielectric properties.     

主动配电网关键技术分析与展望

大量分散电源并网将使配电系统发生根本性变化,未来的配电网将从传统的被动单向式供电逐步向多种能源形式供电的双向供电方向发展,配电网将由原来单一电能分配的角色转变为集电能汇集、电能传输、电能存储和电能分配为一体的新型电力交换系统。围绕建设主动配电网的关键技术这一问题,从保护、运行、规划、信息技术以及能源政策6个方面,对世界范围内现有研究成果进行了全面的综述,并从中提炼出研究的发展方向,为电力科技工作者提供参考。