超高真空中使用的高纯过滤金属蒸发源

设计了一种高真空使用的低电渡过渡金属蒸发源,它能产生高纯金属原子束,且具有一;定的寿命。该蒸发源是将过渡金属Ｃｏ,Ｎｉ或Ｃｒ电镀到一个由Ｗ丝弯成的Ｕ形加热器上构成的。装入超高真空中,利用Ｗ丝自身的电阻加热,去气后,可获得数小时的清洁蒸发。实验结果表明,在离蒸发源约５ｃｍ处,其淀积速率最高可达１０ｎｍｍ／ｍｉｎ,总的淀积厚度超过５００ｎｍ,而且Ａｕｇｅｒ分析结果显示,在超６高真空中淀积的上述几种过渡     

全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长

我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法.该方法的普适性通过研究 Si(111)-7×7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实.通过对In团族点阵的原位扫描隧道显微镜分析和第一性原理总能量计算,我们确定了这些团簇独特的原子结构,阐明了这些结构的形成机理.我们发现团簇和表面之间的强相互作用是获得团簇的特定尺寸和其有序排列的关键所在.     

超高真空中使用的高纯过渡金属蒸发源

设计了一种超高真空使用的低电流过渡金属蒸发源 ,它能产生高纯金属原子束 ,且具有一定的寿命。该蒸发源是将过渡金属Co,Ni或Cr电镀到一个由W丝弯成的U形加热器上构成的。装入超高真空中 ,利用W丝自身的电阻加热 ,去气后 ,可获得数小时的清洁蒸发。实验结果表明 ,在离蒸发源约 5cm处 ,其淀积速率最高可达 1 0nm/min ,总的淀积厚度超过 5 0 0nm ,而且Auger分析结果显示 ,在超高真空中淀积的上述几种过渡金属薄膜 ,其纯度相当高 ,杂质含量均小于仪器的检测灵敏度。本文详细介绍了这种过渡金属蒸发源的制作技术及性能