中国工业设计的二十五年

本用“中国工业设计的二十五年”这个标题，是因作为伴随现代大工业现代科学技术的发展而发展起来的工业设计，直到上世纪的七十年代末，在我国并没有真正发展起来。是在1978年底当我们国家转向以经济建设为中心，开始实行改革开放政策，在这样的历史大背景下，我国一批有识之士倡议成立中国工业设计协会(当时的组织名称是中国工业美术协会，1987年更名)中国大地上的工业设计事业才开始了新的起点．     

理想·碰撞·孵化——记广州南方工业设计事务所

1988年10月，广州美术学院三位工程设计专业硕士，与经济管理、机械制造、电子电路等另几位专业人员，共八人，集体凑资3000元，创办了广州南方工业设计事务所。     

喷射自吸式生化反应器临界吸气条件的研究

本文对喷射自吸式生化反应器的临界吸气条件进行了研究。根据能量守恒定律,建立了临界吸气条件的数学模型。获得了临界喷射压力和临界喷射液速的计算公式,实验结果与计算值得到了较好的吻合。     

变压吸附分离过程的现状和发展

变压吸附分离过程是气体分离中发展迅速和日益成熟的工艺过程,它有设备简单,节能耐用,对原料气体的要求不高,可得到纯度高的精制气体(如精制含氢的气体,可得纯度99.999～99.9999%的氢气)的优点。自1958年Skarstrom,以及Guerin de Montgareuil和Domine分别申请变压吸附(PSA)分离工艺专利以来,已分别在取得高辛烷值汽油添加剂、空气分离制取富氧、富氮、和甲烷、CO_2等气体的富集以及高纯氢的分离精制,变压吸附干燥等各方面迅速工业化。仅以美国的联合碳化公司而言,自1966年起的20年间即售出PSA精制氢的装置246套之多,单台装置的生产能力已超过142(标准)m~3氢/d的规模,并自1970年起每年申请的专利数已达110件之多。本文除介绍新的PSA工艺外,并扼要地叙述了PSA的计算方法和各种条件下的数学模型。     

碲镉汞深微台面列阵干法隔离的轮廓研究

文章报道了碲镉汞（HgCdTe）深微台面列阵干法隔离的轮廓研究的初步结果。采用诱导耦合等离子体（ICP）增强反应离子刻蚀（RIE）技术获得的HgCdTe深微台面列阵，在金刚刀解理后，通过扫描电子显微镜（SEM）观察了其干法刻蚀图形的剖面轮廓。进一步研究了刻蚀时间和刻蚀槽开口宽度对刻蚀图形轮廓的影响，获得了一些有助干深微台面芯片工艺设计的实验结果。     

美国化工学会举行1982年年会

美国化工学会1982年年会于1982年11月14日至19日在美国加利福尼亚州洛杉矶市举行。这是一个大型的论文报告会,收到论文共700多篇,除部分在大会分发外,分别分成约100个专题组举行报告,并举行讨论会六场。专题组涉及的面很广,从高聚物的聚合、流变学、结构、高聚物中的扩散和传热、自动控制、系统工程和动态过程、计算机模型和模拟、最佳化、应用数学、化工反     

不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究

利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,从光谱响应上表现为短波方向的响应下降,认为由于氢化过程中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面,造成少子表面复合速度增加.对ZnS钝化的器件氢化处理后性能改善,表现为信号的提高和噪声的下降,从光谱响应上表现为短波方向的响应抬高,从表面形貌观察发现ZnS的颜色略有变化,台阶仪测试表明氢化后ZnS的厚度减薄了约70nm,通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度从而提高了器件的性能.     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术.     

ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS) 、扫描电子显微镜( SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4 会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5 (CH3 ) 。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2 发生反应,生成多种含C有机物。SiO2 作掩模时,在一定的条件下, CH4 会与SiO2 或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。