静压法生长金刚石大单晶

设计了新的高压反应腔组装结构和相应的工艺程序,初步解决了静压法生长金刚石大单晶中存在的控制温度和压力、成核数目、生长速率等困难,从而能比较容易地在较短的生长时间里生长出尺寸较大、质量较好和数量较多的金刚石大单晶。     

超高压成型制备Y-TZP纳米陶瓷

研究了用超高压成型制备Ｙ－ＴＺＰ纳米陶瓷的新方法．通过采用新的成型方法,在５０００吨六面顶压机上实现了高达３ＧＰａ的超高压成型,获得相对密度达６０％的３ｍｏｌ％Ｙ_２Ｏ_３－ＺｒＯ_２陶瓷素坯,比在４５０ＭＰａ下冷等静压成型所得素坯的密度高出１３％．这种超高压成型所得素坯具有极佳的烧结性能,可在１０５０～１１００℃下经无压烧结致密化．研究表明,这种素坯烧结性能好的主要原因是素坯的相对密度比较高,从而大大增加了物质的迁移通道．由于烧结温度极低,有利于制备ＺｒＯ_２晶粒尺寸＜１００ｎｍ的纳米陶瓷。在１０５０℃／５ｈ的条件下,可烧结得到相对密度达 ９９％以上的 Ｙ－ＴＺＰ纳米陶瓷,平均晶粒仅为 ８０ｎｍ．     

金刚石生长中影响压力的因素

本文以实验为依据,讨论了影响压力的诸因素,认为传压介质要有适当的剪切强度和摩擦系数,密度要大,压缩率要小,具有大的热膨胀系数,高温高压下无由于相变引起的体积收缩,且不易烧结。