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助剂对二甲基二氯硅烷Wurtz聚合反应的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
以二甲基二氯硅烷为反应单体、甲苯为溶剂 ,在超声波下 ,通过Wurtz法合成了聚硅烷。研究了助剂种类对该聚合反应的影响。结果表明 ,在甲苯溶剂中加入冠醚、二乙二醇二甲醚、六甲基磷酰三胺、聚醚等助剂可使该聚合反应在 80℃的较低温度下快速进行 ,从而降低了该聚合反应的危险性 ;冠醚、二乙二醇二甲醚、聚醚、六甲基磷酰三胺等对该聚合反应的促进作用 ,证明该反应活性中间体是阴离子活性体 ,该反应机理更倾向于阴离子聚合 ;冠醚的加入可极大地加快二甲基二氯硅烷的聚合反应 ;二甲基二氯硅烷加入后 ,反应立即进行 ,并放出大量的热 ,可根据反应温度的变化控制单体的滴加速率 ,防止爆聚现象出现 ,为大规模合成陶瓷先驱体聚硅烷提供了有利的依据 相似文献
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设计了两种不同结构的预制体,即碳布 碳毡(1#预制体)、无纬布 碳毡(2#预制体),经化学气相沉积(CVD)与浸渍树脂相结合的致密化工艺制备出了高密度的增强毡C/C复合材料.结果表明:1#、2#预制体制备的C/C材料表现出了良好的力学性能,其拉伸强度分别达61.25MPa和53.12MPa,其中2#材料的拉伸破坏表现出了假塑性.结合材料的微观形貌研究了预制体结构、界面对C/C复合材料拉伸性能的影响. 相似文献
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先驱体浸渗裂解法制备C/C-SiC复合材料的烧蚀性能 总被引:1,自引:1,他引:0
用先驱体浸渗裂解法制备了碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)-SiC复合材料,用H2-D2火焰法检测其烧蚀性能.结果表明:C/C-SiC复合材料的烧蚀率随复合材料中的Si含量的增加而呈下降趋势;经过5次浸渍,C/C-SiC复合材料的密度从1.46 g/cm3增加到1.75 g/cm3,Si含量从5.06%增加到13.8%,线烧蚀率和质量烧蚀率分别下降474%和34.5%.密度为1.75g/cm3的C/C-SiC复合材料,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为2.22 μm/s和1.289 mg/s,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为密度1.78 g/cm3的C/C复合材料的21.7%和78.6%.基体中SiC的引入明显提高了C/C复合材料的抗氧化烧蚀性能. 相似文献
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采用电化学法,合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷,通过FT-IR,UV,1H NMR表征其结构.分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si-Cl键含量的变化,以及加入引发剂蒽对反应速率的影响.结果表明:含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷,相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si-Cl键含量比不含双键聚硅烷少10%~15%;在电化学合成聚硅烷的过程中,单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例;引发剂蒽的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率.本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测. 相似文献