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使用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪,对在单晶硅片上真空蒸镀的酞菁氧钛(TiOPc)薄膜的光学性质进行了研究.在248~1650 nm(0.75~5 ev)的范围内分别使用柯西模型、逐点拟合模型、洛伦兹模型和高斯模型对测得的椭偏光谱进行拟合分析,获得了TiOPc薄膜的折射率、消光系数和复介电常数.通过比较,我们发现高斯模型拟合的均方差较小,拟合数据和测试数据重合度好,而且拟合得到的光学常数的图线光滑连续,因此认为高斯模型最适用于描述TiOPc薄膜的光学性质.由高斯模型拟合所得的消光系数推出了TiOPc薄膜的吸收谱,结果发现TiOPc薄膜存紫外可见近红外区有一系列的吸收峰,分析了其电子结构及吸收谱成因,并由吸收谱推算了其光学禁带宽度. 相似文献
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夏道成 《机械工人(热加工)》1980,(10)
不久前我厂接受了锻造如图1所示的深桶形零件的任务。该零件机械性能要求高,必须用模锻件。由于桶形孔及外壁都很深,如果采用图2所示的a-a 分模面设计,则在内孔及外壁需要有很大斜度(见图2中角α和β),从而增加了机械加工的工作量,又浪费大量的金属材料。 相似文献
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