离子注入条件下单晶银薄膜形成的理论探讨

在室温环境下，用不同的注入剂量将２４ｋｅＶ的Ｎ＋离子和３５０ｋｅＶ的Ｘｅ＋离子注入进多晶银薄膜中。对实验结果进行分析后发现，经离子注入后在银薄膜中出现了再结晶和晶粒长大现象。当注入的离子达到一定剂量时，多晶银薄膜转变成单晶银薄膜．本文对单晶银薄膜的形成机理作了探讨，认为与晶粒生长有关的主要因素是：（１）离子注入．过程中在薄膜内部产生的高密度的缺陷和位错促进了晶粒再结晶和晶粒生长。（２）由于晶格畸变而产生的界面张力为在晶粒初始再结晶以后的进一步长大提供了驱动力。（３）晶粒之间的取向差有助于晶粒的生长。（４）离子注入过程中产生的晶格弛豫效应促使薄膜中的应变能不断恢复和产生，使晶粒持续不断地再结晶而逐渐长大。（５）薄膜的基底对单晶薄膜的形成有一定影响。     

Cu-Cr Cu-Ti双层薄膜离子束混合与其电阻和硬度性质

借助于透射电子显微镜(TEM)研究了Cu-Cr、Cu-Ti双层离子束混合。分别用200keVAr~ 和350keVXe~ 注入Cu-Cr、Cu-Ti双层薄膜,对其混合后的表面硬度和电阻进行了测量。发现Cu-Cr双层混合,在10~(17)/cm~2Ar~ 注入剂量时,TEM形貌图出现了沟纹,为一离子择优溅射效果,此时形成了单一的Cu基亚稳相固溶体,经200℃退火后,有孪晶生成,Cr沉淀析出,而Cu-Ti双层离子束混合有Cu_3Ti_2相生成,在400℃退火时生成了Cu_3Ti相。离子束混合的表面硬度和电阻都有了显著地增加。经100～400℃退火,其表面硬度和电阻的变化主要受退火前混合程度、热处理引起的相变及损伤程度的综合影响。     

Monte Carlo计算枧模拟—离子注入双层薄膜中的浓度分布

使用Monte Carlo方法模拟350keVXe~ 注入Cu/Ti双层结构,研究界面所造成的离子浓度分布的不连续性,并讨论界面位置对浓度分布的影响。在模拟600keV Bi注入Al/Ti双层结构时,当考虑有界面势存在,则其理论值与实验值符合得更好。     

Ar~+离子注入Cu及Cu-Cr双层薄膜的表面硬度和电阻性质研究

本文分别对 ２００ｋｅＶＡｒ＋注入 Ｃｕ及 Ｃｕ－Ｃｒ双层的表面硬度和电阻，以及上 述性质的时效效果进行了测量；同时进行了ＴＥＭ分析，发现Ａｒ＋注入Ｃｕ晶粒随剂量 逐渐细化，而Ｃｕ－Ｃｒ双层混合，在１０１７／ｃｍ２Ａｒ＋注入剂量时，ＴＥＭ形貌图出现了 沟纹，为一离子择优溅射效果。此时形成了单一的 Ｃｕ基亚稳相固溶体。经 ２００℃退 火，有孪晶生成，Ｃｒ沉淀析出。     

FeSiAl合金的离子注入

离子注入技术是60年代以来随着加速器的发展而兴起的一门新技术.它是通过加速器把某种元素的离子注入到人们所需要的材料表面,从而改变材料的表面性能.FeSiAl合金具有很好的高频磁性能和高硬度,是较好的视频磁头材料,但与铁氧体材料比较,硬度及耐磨性仍较低.为了充分发挥FeSiAl合金的较高磁性能,进一步提高它的硬度及耐磨性,作者探索了离子注入技术对FeSiAl合金表面性能的影响,预期在合金表面形成一层很薄的非晶,提高合金的硬度,改善其性能.     

新的非平衡冶金方法—离子注入法

本文介绍了和传统的高温熔合的冶金方法截然不同的离子注入合金化方法。用这种方法可制得高过饱和固溶体或混合相,可制得耐蚀的表面以代替不锈钢,可制得非晶态物质及研究非晶形成的判据,因而是一种大有发展前途的非平衡冶金方法。     

离子束混合制备非晶Sm-Fe-Zr合金薄膜

采用离子束混合技术制备非晶Sm—Fe－Zr合金薄膜，在Sin的含量为x＝400，300，200m／g的Sm—Fe多层薄膜中，注入能量为60KeV，剂量为1×1017ion／cm2的Zr＋，研究非晶形成条件及合金薄膜的磁性能．实验发现：三种成分配比的样品在Zr＋注入后磁性能皆发生明显的变化．X＝400mg／g样品没有形成非晶，其主相为SmFe5；x＝300，200mg／g样品形成非晶，且x＝200mg／g样品晶化后形成一个面心结构未知相和α—Fe相     

用离子注入法对磁头进行表面处理

一、前言离子注入表面处理新工艺,是近几年来迅速兴起的离子工程学中的一-门新技术,它与离子镀、离子抛光和离子氮化有着密切的关系。其共同的点是都具有离子源和离子加速装置。表1是以离子工程技术为对象,按离子能量大小分类的表面处理工艺。从表1可见:离子注入是利用最大能量的离子来轰击材料表面。通常,注入离子的动能为数keV以上。离子注入表面强化处理方法,较其它表面处理方法具有很多优点。 1.离子注入是把高速运动的离子,强制地挤入金属材料表层里。它不受热力学的限制,能在金属表面形成表面合金及非晶层,还可以得到常规冶金方法所不易得到的表面合金。 2.离子注入表面处理工艺不可能产生与基体成份完全不同的离子注入层,没有相介面及结合面。离子注入层不易脱落。     

真空离子注入机的圆班双聚焦磁谱仪的光学参数计算及数据

质量分析仪在现代生产和科学研究中是不可缺少的重要工具,当前广泛采用的质量分析仪,主要有磁质谱仪和四极滤质仪。虽然四极滤质仪有很多优点,但也有局限性[1]。磁分析仪虽有分辨率,灵敏度高,稳定性和重复性等优点。但要求在较高的真空度条件下工作(一般真空度为10-6托)。 目前国内外的磁分析器多采用单向聚焦。磁分析器在真空度为10-6托时,它的光学参数计算简单;但没有纵向聚焦作用,纵向离子被磁极所阻,部分离子不能通过,增加束流损失,降低磁分析器的分辨率。为了减少束流损失,常常采用四极透镜来压缩进入分析器和由分析器出来的束经,使其…