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采用改进的双面氧化弯曲法,原位测定了900℃下 CeO_2及其含量对 Al 化物涂层上的氧化膜生长应力的影响,并计算出了含 CeO_2的复合涂层与两种简单渗 Al 涂层的生长应力差值。实验表明:涂层中添加 CeO_2可细化 Al_2O_3膜的晶粒,增加了氧化膜的塑性,使复合涂层在900℃氧化45h 后的氧化膜内的生长应力同 NiAl 涂层和M38G 合金渗 Al 层相比分别降低了约2000MPa 和500MPa。此外,试样在升温过程中的弯曲行为表明,三种涂层的线膨胀系数间关系为 α_(NiAl)>α_(NiAl+CeO(?))>α_(渗 Al M38G 合金)。 相似文献
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