掺杂Sn对低铈型复合氧化物纳米储氧材料性能的影响

采用共沉淀法制备了低铈型Ce-Zr-Sn复合氧化物纳米储氧材料,采用X射线衍射、储氧量、比表面积等研究手段对其进行了分析和表征,结果表明,低铈型Ce（0.35）Zr（0.55-x）SnxLa（0.1）O（1.95）（x=0-0.12）复合氧化物纳米储氧材料具有高的比表面积和储氧量,且物相单一,只含有稳定的立方结构的固溶体晶相。少量Sn的掺入有利于低铈型铈锆固溶体储氧材料热稳定性能和低温储氧性能的提高。当Sn含量（摩尔分数）为0.06时,样品的低温储氧量和比表面积最高,抗老化性能最佳,经1000℃高温老化5h后,储氧量和比表面积仍可达298.1μmo1/g和48.95m~2/g。     

无线局域网技术在油田的应用

推广采用无线局域网技术是对现有企业局域网络的重要补充,它可以大大改善现有网络的可用性和可扩展性.无线网络技术不但能改善企业管理和学习效果,还能大大节省成本.根据油田各生产管理点分布的地理位置,以及其数据通讯量、数据安全、传输距离等需求,可以采用无线局域网的技术来解决油田边远区域和自动化站点的网络接入问题.准东采油厂对所辖各油区的各主要生产管理点及重要站点已初步建设无线局域网络,并且已经在生产管理中发挥着重要作用.     

在开放搞活中成长

为了在特区设置一个了解国内外建材市场信息、经销建材产品的窗口,中国建材贸易总公司华东分公司于1984年10月在厦门特区建立了“厦门支公司”。公司初创,百业待兴,分公司采取了边经     

溶胶凝胶法制备掺杂锑(Sb)的透明导电膜

采用溶胶 凝胶方法制备了SnO2 掺杂Sb的透明导电膜 (简称ATO膜 ) ,并讨论了掺杂量和热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响 ,用XRD ,SEM ,TG DTA以及IR等研究了所得薄膜的结构性质 ,制备出导电性能优良的透明导电膜     

溶胶发泡法制备硅酸盐长余辉超细发光粉

以正硅酸乙酯、硝酸盐等为原料,用溶胶发泡法制备出硅酸盐长余辉超细发光粉,用X射线衍射和荧光光谱等手段对其进行了分析和表征。结果表明:在pH=1～3,加水量R≥4,发泡剂的用量VF/VTEOS+H2O=0.5,室温以上条件下可形成均匀的发泡溶胶和凝胶。凝胶前驱体在1130℃反应3h制备出以纯相Sr2MgSi2O7为基质的长余辉发光材料Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+,其产物疏松,颗粒小,易于研磨获得超细粉。它的激发光谱在260～450nm之间存在一个强度较高的激发带,紫外和可见光均可使其激发发光,其发射峰位于467nm,发出的余辉为蓝色,余辉时间10h左右。铕的掺入量为0.01mol的样品的发光性能良好。     

溶胶-凝胶法制备Ca2MgSi2O7:Eu2 ,Dy3 发光粉

以正硅酸乙酯、硝酸盐等为原料,用溶胶.凝胶法制备了Ca2MgSi2O7Eu2 ,Dy3 长余辉发光粉,探讨了前驱体制备工艺条件,用XRD等手段对发光粉进行了表征.结果表明在pH=1～3,R≥4,控制共溶溶剂的用量,室温下即可形成均匀透明的溶胶和凝胶.前驱体在1100℃烧结3 h制备出Ca2MgSi2O7Eu2 ,Dy3 长余辉发光粉.发光粉具有光致发光行为和长余辉发光特性,其发出的余辉为黄绿色,发光亮度低、余辉时间短,仅1 h左右,其激发光谱在340～480nm之间存在一个强度较低的激发带,发射光谱的发射峰位于528nm.     

稀土硅酸盐长余辉发光材料的制备及性能

以SrCO3、CaCO3、4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O、SiO2等为原料,用高温固相烧结法合成了发光性能良好的Sr2-xCaxMgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,借助于X射线衍射和荧光光谱等研究手段对其进行了分析和表征,探讨了Ca2+取代Sr2+和稀土离子的掺入量及固相反应温度、时间对其发光性能的影响。结果表明:Sr2-xCaxMgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料的较佳烧成温度为1250～1300℃,烧成时间为3h左右;其物相单一,只含有与四方晶系的Sr2MgSi2O7晶相相同的固溶体Sr2-xCaxMgSi2O7相;紫外光和日光均可使其激发发光,随着钙取代锶量的增大,其发射峰逐渐向长波方向移动,发光颜色由蓝绿色变成黄色,但其发光性能变差。钙的取代量为0.5mol以下样品的发光性能良好,余辉时间可达13h以上。     

溶胶-凝胶法制备纳米硅灰石

以正硅酸乙酯和氯化钙为原料,采用溶胶-凝胶法制备了高纯纳米硅灰石,探讨了前驱体的制备工艺条件,用IR、XRD和SEM等手段对纳米硅灰石进行了表征.实验结果表明:前驱体的制备工艺条件为:R≥4,pH=1～3,t≤60℃;前驱体在900℃烧结1 h合成出70～100 nm的四方状晶粒及其聚合体组成的高温型硅灰石纳米粉体;采用溶胶-凝胶法制备纳米硅灰石,烧结温度低,比常用的高温固相合成法要低400℃以上,烧结时间短,产物白度和纯度高.     

溶胶凝胶法制备掺杂锑（Sb）的透明导电膜

采用溶胶－凝胶方法制备了SnO2掺杂Sb的透明导电膜（简称ATO膜），并讨论了掺杂量和热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响，用XRD，SEM，TG－DTA以及IR等研究了所得薄膜的结构性质，制备出导电性能优良的透明导电膜。     

AgIn合金量子点复合玻璃的制备及光学性质研究

采用溶胶-凝胶法结合气氛控制的技术制备了AgIn合金量子点掺杂钠硼硅基(NBS)玻璃。利用X射线粉末衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及选区电子衍射(SAED)对AgIn合金量子点在玻璃中的形貌和微结构进行了表征, 并利用荧光光谱仪对该玻璃的荧光性质进行了研究。结果表明, 在600℃热处理下钠硼硅玻璃中形成了尺寸分布在5 nm左右的均一的AgIn六方晶系量子点, 而且分布在玻璃中的AgIn量子点在435 nm附近存在一个荧光峰, 表明AgIn量子点掺杂NBS玻璃可以作为激光源、非线性介质和光子设备的候选玻璃。