碳化硅MPS的功率损耗特性分析

采用解析模型模拟了 4 H-Si C混合 Pi N/Schottky二极管 (MPS)的功率损耗及反向恢复 ,研究了外延层掺杂浓度和厚度、PN结网格宽度等主要的结构参数对该器件功率损耗的影响。模拟结果表明 ,对文中所述的MPS,在 770 K左右具有最小功耗 ,且肖特基区所占的面积比越大 ,外延层掺杂浓度越高 ,厚度越小 ,最小功耗越低 ,最小功耗对应的温度也越高。论证了 MPS在一个较高的温度下具有很低的功耗 ,适合功率系统的应用     

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型

对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏电流的关系及不同栅压区漏电流随漏电压斜率改变的基础上,提出了改进的高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性模型.采用这个模型,计算了Al GaN/GaN HEMT器件的大信号I-V特性,并与实际测量数据进行了比较.实验结果表明改进的模型更精确,Ids与Vgs的呈2.5次方的指数关系.     

4H—SiC肖特基势垒二极管伏—安特性的解析模型

在分析4H－SiC肖特基势垒二极管正向电流势电子发射理论的基础上，计算了肖特基势垒高度φeff和串联电阻Ron，通过对反向电流各种输运机制的分析，提出了一种计算反向电流密度的理论模型，计算结果与帝验数据的比较表明，隧道效应是反应电流的主要输运机理。     

高温Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的特性

在研究高温下串联电阻Ron对肖特基势垒二极管正向特性的影响，以及各种反向电流密度分量对其反向特性的影响基础上，测量并理论计算了300－528K范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的伏安特性。分别得到了理想因子、肖特基势垒高度和串联电阻在395K和528K温度下的数值。理论和实验的比较说明，高温下，热电子发射是正向电流的主要输运机理，反向电流除了以隧道效应为主外，热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加，必须加以考虑。     

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取

本文在高电子迁移率晶体管(HEMT)小信号等效电路模型的基础上,考虑了AlGaN/GaN HEMT的结构特性,具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法.采用这些方法,实际测量了5～10 GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数,S参数的计算值与实际测量值进行了比较.实验结果表明此方法简单易行,较为精确.