用于热核巨共振研究的大面积BGO闪烁探测器

报道了大面积BGO闪烁控制器用于132MeV^16O ^197Au反应中形成的热核巨共振研究，利用飞行时间法鉴别中子、γ。用EGS4程序模拟探讨器对γ连续谱的响应，利用BGO闪烁探测器中Ge俘获中子发射的γ对探测器进行了能量刻度。     

2007年HVI维修赴美培训情况

2007年1月8日至2007年2月9日，中国纤维检验局组织国家纤维计量站和新疆、山东、湖北纤维检验局共6位同志赴乌斯特公司和美国农业部进行了为期5周的HVI大容量纤维测试仪（以下简称HVI）维修培训。培训情况如下：     

低温液体冷却循环器的研究与开发

根据低温生物、生化实验研究和产品小试时应用低温条件的特点，提出机械制冷的冷却循环器，讨论了工作原理和制冷量计算，对其制冷系统和温度控制进行介绍。     

放射性同位素衰变能发电机制的研究与探索

报道了国际上有关放射性同位素电池研究的最新动态。首次提出了利用β粒子的电磁辐射实现由核衰变能向电能直接转换的基本设想，并制定了具体的与β伏特效应相结合的技术路线。以期在实验上获得空前的能量转化率，在核衰变能发电机制研究领域取得突破性进展，同时为核废物的再利用探索新途径。研究结果表明对９０Ｓｒ－９０Ｙβ源理论上可达到６２％的能量转换率极限，实验能量转换率可望达到２７％。     

碱性阻挡层抛光液中ULK介质抛光性能的研究

研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO₂磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响。所用抛光液(pH=10)主要由0%~4%(质量分数,下同)SiO₂、0.075%H₂O₂、1%邻苯二甲酸氢钾和不同质量浓度的表面活性剂组成,其中表面活性剂为非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-9和AEO-15)、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)和两亲性非离子表面活性剂辛基苯酚聚氧乙烯醚(OP-50)。结果表明,磨料质量分数的增大会使ULK介质的去除速率和k值都增大。聚醚类表面活性剂都能在CMP过程中很好地保护ULK介质表面,降低其去除速率,OP-50的效果尤其好。当采用2%SiO₂+0.075%H₂O₂+1%KHP+200 mg/L OP-50的抛光液进行CMP时,ULK介质的去除速率为5.2 nm/min,k值增幅低于2%,Cu和Co的去除速率基本不变。     

光催化氧化对GaN 材料腐蚀电化学及化学机械抛光的影响

考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为。结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1%时腐蚀电位最低。在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN材料的腐蚀速率进一步提高。CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN在1%KBrO3溶液(pH=4)中的抛光速率提高,而再加入光催化剂二氧化锡(SnO2)会使得GaN材料的抛光速率进一步提高。当KBrO3质量分数为1%,pH=4时加入紫外光和0.2%(质量分数)SnO2,GaN材料的抛光速率可达502.4 nm/h,抛光后晶片表面的均方根粗糙度为0.11 nm。     

硅通孔化学机械平坦化中铜去除的电化学与选择性研究

利用极化曲线测量法研究了甘氨酸和过氧化氢浓度及pH对硅通孔(TSV)化学机械平坦化(CMP)中铜腐蚀的影响。结果表明:甘氨酸对铜的腐蚀随其浓度增大而增强;随着过氧化氢浓度增大,铜腐蚀电位逐渐增大;在p H为10时铜的腐蚀效果最佳。CMP实验表明,在不同浓度的甘氨酸和过氧化氢之下,抛光速率可调,达1.9~5.8μm/min,铜表面粗糙度为5~29 nm,铜钽去除速率比为20~50。     

稀土氧化物对镁质耐火材料物理性能及挂窑皮性的影响

在镁质耐火材料中分别加入Y2O3、La2O3、Nd2O3和CeO24种稀土氧化物,研究添加不同的稀土氧化物对镁质耐火材料的烧结性能、高温力学性能和挂窑皮性的影响。结果表明,所添加的稀土氧化物可以促进镁质耐火材料的烧结,提高其常温力学性能,并且添加Y2O3还能明显提高镁质耐火材料的高温强度和挂窑皮性能。     

压缩机控制系统分析及故障排除

为了降低进口天然气压缩机对外方维修检查的依赖,减少维修检查和备品、备件费用,缩短进货周期,提高自主维修能力,对该天然气压缩机运行状态认真观察,对各采样点、监控点数据认真分析.在对自动控制系统认真研究分析后,全面掌握了其控制原理和各电气元器件的性能、运行参数,掌握了采样点和监控点数据与自控系统的关系,掌握了自控系统如何控制阀门动作.     

用耐火粘土废砖粉制备Al2O3/SiC复相陶瓷材料的研究

以耐火粘土废砖粉为原料,无烟煤为还原剂,研究了碳热还原反应制备Al2O3/SiC复相陶瓷材料的反应过程,探索了其工艺参数对其反应的影响.结果表明,在适当的碳和氧化硅摩尔比,不低于1600 ℃时可以合成Al2O3/SiC复相陶瓷.随着还原反应温度的升高,保温时间的延长,碳含量的适量增加,原料粒度越细,都可以有效的促进反应进行.催化剂的加入对碳热还原反应有一定的影响.SEM观察表明Al2O3/SiC复相陶瓷中,SiC交错分布在刚玉之间.