现场光谱技术

本文就传统光谱技术的局限性及其革命性变革，现场光谱技术的产生、技术特征及其进展和应用进行了分析和评述。     

K_2ZnCl_4晶体中OH~-杂质的存在形态及其红外光谱的研究

通过红外光谱、差示热分析谱和核磁共振谱研究了K_2ZnCl_4晶体中OH~-的存在形态.在实验中观察到存在两种不同形态的OH~-,并就其对晶体物理性质的影响作了讨论.     

应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究

用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66.     

层状半导体材料GaSe光学性质的研究

研究了层状半导体材料GaSe在强激光激发下基本吸收边和激子的光学非线性,确认激子-激子散射过程及激子屏蔽是引起这种非线性的主要机制。     

Nd^3＋：YAG微球激光器的选择性激发

利用离轴照明选择性激发高Ｑ值Ｎｄ＾３：ＹＡＧ小球，测量到与体材料不同的激光振荡，例如１．３６５μｍ的激光谱线。     

应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究

利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。     

用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化

硫钝化是一种比较有效的钝化ＧａＡｓ表面的方法．本文使用Ｎａ２Ｓ、Ｓ２Ｃｌ２和ＣＨ３ＣＳＮＨ２三种化学试剂对表面本征层重掺杂层（ｓｉｎ＋）结构的ＧａＡｓ样品进行了钝化,利用光调制反射谱观察到许多个ＦｒａｎｚＫｅｌｄｙｓｈ振荡,测量出本征层的电场强度,研究了ＧａＡｓ表面硫钝化前后费米能级的变化,并且比较了各种钝化方法的钝化效果．     

用FTIR光谱技术测定固体和液体光声池频响特性

提出一种利用傅里叶交换红外FTIR光谱技术测量固体、液体光声池频响特性的简便方法,从理论上论证了该方法的可行性,并用于测量几种不同结构参数光声池的幅频特性。实验结果与我们用广义亥姆霍兹理论的计算结果符合很好。讨论了光声池声传递特性对光谱测量结果的影响及在FTIR光声光谱测量中利用共振增强效应进行固体样品痕量检测的可能性。     

部分透明平板状物体的热辐射测量方法

对于不透明物体 ,透射比τ等于零 ,有ε ρ =1,热辐射特性可由其表面发射比ε或反射比 ρ测量得到。而对于部分透明物体而言 ,情况要复杂得多 ,必须考虑更普遍的关系式 :ε ρ τ =1。其热辐射特性测量必须考虑到透射比τ不等于零这个因素。在分析部分透明物体的热辐射特性