高温高压合成的硅酸锶铕铋的发光特性

用高温高压方法合成了Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅ３＋ｕ，Ｂｉ３＋和ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋研究了合成压力对其发光性能的影响，与用溶胶－凝胶共沉淀法和常压高温法合成的产品作比较．常压制备的ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋为六角结构，而在２．３４—４．１０ＧＰＳ的合成压力范围内，它转变为反正交结构；常压下Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋为单斜结构，在４．２ＧＰａ的合成压力下，未发现其结构相变．高压合成产物的发光强度和相对量子发光效率降低，半宽度明显增加，且伴有红移发生．发光强度的改变是压致晶场的变化引起的     

高温高压合成的硅酸锶有铕铋的发光特性

用高温高压方法合成了Ｓｒ２ＳｉＯ４Ｅ＾３＋ｕ，Ｂｉ＾３＋和ＳｒＳｉＯ３Ｅｕ＾３＋＿，Ｂｉ＾３＋，研究了合成压力对其发光性能的影响，与用溶胶－凝胶共沉淀法和常压高温法合成的产品作比较，常压制备的ＳｒＳｉＯ３Ｅｕ＾３＋，Ｂｉ＾３＋为六角结构，而在２．３４－４．１０ＧＰａ的合成压力范围内，它转变为赝正交结构；常压下Ｓｒ２ＳｉＯ４；Ｅｕ＾３＋，Ｂｉ＾３＋，为单斜结构，在４．２ＧＰａ的合成压力下，未发现其结