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低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文利用双Schottky势垒模型依据SrTiO3晶界层电容器材料的R~T特性和室温下的I~V特性获得了晶界势垒高度随温度变化的关系.结果表明,势垒高度随温度的升高而增加.这一结果与用各不同温度下的I~V特性拟合所得到的势垒值基本相符.  相似文献   
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