液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪

用半导体探测器[包括面垒型Si(Au)及漂移型Si(Li)]测量电子谱的好处是:分辨率比闪烁计数器要好几十倍,与一般纵向磁谱仪相当,但效率比磁谱仪高得多;结构简单、价格便宜;尤其是它能够作多道式的同时性全谱测量,在低活性和短寿命核素的电子能谱测量中,具有很大的优越性。F.U.M.Bernthal等人以曾测量T_(1/2)=8.1小时     

Ni_(75)Cr_(15)Fe_(10)合金的正电子湮灭研究

早在1951年,H.Thomas在Ni-Cr等合金中观察到,在进行热处理后于较低的温度范围内合金出现硬度、电阻率等增大的现象,他把此现象归因子固溶体中的一种特殊的组织状态——K状态的形成,我们在Ni_(75)Cr_(15)Fe_(10)上也观察到类似的硬度增大现象。 本文用多普勒展宽方法估测了冷轧样品中的位错密度与空位浓度。同时,通过测量正电子寿命与谱线形状参数随退火温度的变化,考察K状态的形成对正电子湮灭的影响。     

K状态的正电子湮没研究

首次用正电子湮没方法研究了K状态。根据实验结果分析认为:K状态是富Cr的原子团,伴随着缺陷的回复,K状态原子团从低温就开始形成,尺寸约为几十个埃.     

电缆绝缘用低密度聚乙烯挤包理论的探讨

本文根据流变学理论,研究了聚乙烯在挤出时的流动行为,分析了在挤包聚乙绝缘时容易产生的问题,由此提出了提高产品质量的关键因素和技术措施.     

用“双电压表”法测量同轴电纜的公里衰减

用“双电压表”法测定同轴电缆公里衰减的基本原理,是利用电缆的谐振频率测量线路终端断路时的起端和终端的电压,然后依此计算其公里衰减。双电压表法广泛用于电缆工厂之中,因为它较其它方法具有许多优点,如只须进行一次测量,谐振频率的选择比较容易,计算公式简单,不易引起计算误差等。此外,在电源内阻非常小的情况下,可以直接在电缆终端读出衰减数值。线路终端断路时,始端和终端的电压用电子管电压表来测量(图1)     

非晶态合金(Fe_(0.1)Ni_(0.35)Co_(0.55))_(78)Si_8B_(14)中的正电子湮灭

非晶态合金的结构及结晶机制,是许多科技工作者感兴趣的课题。H.S.chen和s.Y.Chuang从冷轧、电子辐照和退火处理等不同方面用正电子湮灭技术研究过非晶态合金,结论是:无定形合金中只含有可忽略的类空位缺陷;局部原子可能重新排列,形成原子团;排除微晶无序结构的可能性。M.Doyama等测量了无定型合金Ni_(0.79)P_(0.21)和Co_(0.81)P_(0.19)的角关联,他们提出:无定形合金是一种过冷均匀液态。S.Tanigawa等人研究了正电子湮灭特性随样品处理温度变化的动态过程,给出无定形合金Pd-Si,Ni-P晶化过程的五个阶段。     

~(61)Cu的衰变

使用Ge(Li)和HpGe探测器、Nal-Ge(Li)γ-γ符合谱仪、半导体电子谱仪研究了~(81)Cu的衰变。测到了来自12个激发能级的35条γ射线,结果表明:“Table of Isotopes”(7th edition 1978)的~(61)Cu纲图中的545keV、1019keV γ射线及1019keV能级是不正确的。测得~(61)Cu的半衰期和67keVγ跃迁的内转换系数分别为T_(1/2)=207.7±1.6min及α=0.12±0.01,并作出衰变纲图。本文着重讨论有分歧的1014、1019、1997三个能级及一些弱γ射线的存在问题。     

合金中K-状态的正电子湮没研究

所用材料是将1mm的带钢加热至1000℃进行固溶处理,再于冰水中淬火。冷轧NiCr和NiCrFe样品的压下量分别为60％和35％。样品的热处理均是在不同温度保温三小时后炉冷至室温。用分辨率为1.3keV(对~(35)Sr 514keV γ)的Ge(Li)探测器系统测展宽谱。     

高通量堆辐照二氧化钍中~(233)U,~(232)U,~(233)Pa及裂变产物的积累与中子积分通量的关系

本文研究了在高通量堆上辐照ThO_2,在一定的中子能谱下,中子积分通量的变化(3.499×10~(20)-1.759×10~(21))对~(233)U产额、~(232)U/~(233)U比及裂变产物积累的影响。     

用效率外推法测~(131)I和~(198)Au绝对强度

用4πβ-γ符合吸收曲线效率外推法,测定短寿命的医用同位素~(131)I、~(198)Au绝对强度。测量结果分别对本底、死时间、分辨时间进行了修正,同时还考虑了短半衰期引起的修正。对~(131)I和~(198)Au的最大测量误差分别为0.57％和1.7％。本装置稍作改变后,还测量了具有电子俘获衰变的核素。