潜孔锤钻进应用拓宽的前景

风动潜孔锤钻进过去主要用于钻凿爆破孔、基岩水井等。随着潜孔锤结构形式发展、工作性能优化、钻进工艺完善以及应用时所显示出的优点，使人们越来越认识到潜孔锤钻进在复杂地层、矿产勘探及工程地质勘察、锚固工程、非开挖铺管工程、灌浆孔、大坝倒垂孔中应用具有良好前景。     

土夹石混合料回填技术应用探讨

针对一个软弱地基处理的工程实例,介绍了土夹石混合料回填技术的应用情况,说明了在一定范围内采取土夹石混合料处理软弱地基的实用性和经济性。     

HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系.研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽.     

嵌入式以太网的智能配网综合保护/测控装置设计

本文介绍了ARM在配网综合保护 测控装置中的应用。主要给出了配保装置中的主要部分 (数据处理及通信 )单元的硬件设计 ,以及操作系统和开发环境的选择等系统软件的开发。     

局部双轴应变SiGe材料的生长与表征

利用分子束外延（MBE）对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线双晶衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和位错密度测试等多种实验技术,结果表明：薄膜表面窗口内双轴应变SiGe薄膜厚度和Ge组分得到精确控制,垂直应变度达到1.175%,其表面粗糙度为0.45 nm,SiGe位错密度为1.2×103 cm-2.由于采用多晶Si侧墙,外延材料表面没有发现窗口边缘处明显位错堆积.实验证实,采用该技术生长的局部双轴应变SiGe薄膜质量良好,基本满足SiGe BiCMOS器件制备要求.     

小型贯流锅炉给水处理中的反渗透技术应用

小型贯流锅炉具有效率高、节能、自动化程度高的特点,但对于给水水质要求也较高。与离子交换法相比,反渗透制水用于小型贯流锅炉给水时制水成本约5.04元/t,而离子交换的制水成本约2.83元/t,但反渗透的产水硬度、碱度、电导率都较离子交换水低,使锅炉的连续排污量和全排污量降低,从而节省了大量燃料费用,符合节能减排的要求。结果表明反渗透制水用于锅炉给水时,比离子交换制水更经济、操作更简单,应用前景广阔。     

微加速度计机械与电学一体化仿真模型

针对目前MEMS微加速度计机械和电路仿真各自脱节的现状,基于PSPICE软件,综合了敏感质量块机械、偏置电压静电力和接口电路3部分,提出了机械与电学一体化仿真模型。模型实现了敏感质量块大位移情形仿真,突破了已有仿真模型对该质量块的中点小位移近似。利用该模型,得到大位移情况下加速度计能承受的最大阶跃和脉冲加速度信号值,经过与经典理论公式比较,误差小于3%。进一步,通过在不同偏置电压开环模式下灵敏度仿真与实验值的比较,当敏感质量块处于小位移状态时,误差小于5%;处于大位移状态,小于10%。因此,仿真模型与经典理论公式以及实验值比较接近,可应用于微加速度计的仿真和物理过程再现,从而有助于该类微机械电子器件的进一步研究。     

砂石垫层法在地基处理中的应用

介绍了一个砂石垫层法处理地基的工程实例,实践表明,只要在设计施工中注意其参数和质量的控制,用这种方法处理地基是经济有效的。     

一种采用BiCMOS工艺的SiGe HBT基区生长方法

为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD)测试,显示所生长的Si1,Gex基区表面粗糙度为0.45nm,穿透位错密度是0.3×103～1.2×103cm-2。,在窗口边界与基区表面未发现位错堆积与岛状物。结果表明,该方法适宜生长高质量的SiGeHBT基区,可望应用于SiGeBiCMOS工艺中HBT的制备。     

适于PMOSFET的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2的生长

通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构.采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料.经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×10.cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制.测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考.