陶瓷球研磨成型机理的研究

讨论了陶瓷球的成球机理，分析了一种新的研磨加工方法，即采用三块能够独立选择的研磨盘。通过控制研磨盘的转速，调整自旋转角的大小，可在较大的范围内取值，同时对计算机仿真和实验的结果进行了对比。结果表明：该方法结合化学机械抛光(CMP)等先进的抛光工艺，能够有效地提高陶瓷球的加工效率和质量。     

纳米级研磨技术及发展动向

概述了最近纳米级研磨技术的研究动态,同时介绍了研磨技术的原理、应用和优势,结合该方向的最新研究成果提出其近期的研究发展方向.     

CMP加工过程中抛光速度对液膜厚度的影响分析

化学机械抛光过程中抛光工艺参数对抛光液的流动特性有重要影响。采用LIF技术实验研究抛光参数对抛光液液膜厚度的影响。研究表明。抛光液膜厚度随着抛光速度的增加而增加,增加的趋势随抛光转速的提高而减缓。同时液膜厚度随着抛光压力的增加而减少。通过抛光参数的变化对抛光液流动特性的影响分析,为改善CMP加工工艺提供理论性的依据。     

浅谈安全扫描软件

本文对安全扫描所涉及的技术、在企业部署安全策略的地位和安全扫描技术的发展趋势进行了阐述,并对用户在选择安全扫描产品提出了自己的一些建议。     

基于双自激振荡腔室磨粒流抛光的流体脉冲特性研究

目的 自激振荡脉冲磨粒流抛光方法主要应用于型腔零件内表面的抛光,为进一步增强抛光液的自激振荡脉冲特性,以提高抛光效率,提出一种基于双自激振荡腔室的磨粒流脉冲特性抛光方法.方法 利用串联的两个自激振荡腔体,对抛光液的流体脉冲特性进行二次放大,增强抛光液的峰值速度以及湍流动能.利用数值模拟分析双自激振荡腔室的脉冲特性,搭建串联式双自激振荡腔室磨粒流脉冲特性抛光实验平台,实验验证新增一个自激振荡腔室对提高抛光液脉冲特性的有效性.结果 仿真结果表明,双自激振荡腔室有增大峰值速度的作用,从单个腔室的66.8 m/s增加到了76.8 m/s.对直径为6 mm的不锈钢管内表面进行抛光的实验结果表明,在相同的实验条件下,加工10 h,采用双自激振荡腔室抛光的工件内表面粗糙度Ra从452 nm降低到了42 nm,且内表面具有显著的镜面效果;而采用单个自激振荡腔室加工的不锈钢管内表面粗糙度Ra降到了100 nm,内表面相对暗淡,还需要继续抛光2 h才能达到42 nm.同时,实验还证明了流体的脉冲特性在流道中存在衰减.结论 通过数值模拟与实验分析验证了双腔室自激振荡磨粒流抛光方法的有效性,具有进一步增强抛光液峰值速度及湍动能的效果.为充分利用自激振荡脉冲特性,需要将工件安装在靠近腔体下游出口处.     

试论高职计算机应用技术课程体系的开发

高等职业计算机课程是高等学校教育的主要课程,其应用课程体系的开发和运用是高等职业学院专业进行课程改革的核心。设计符合高等学校发展、符合技术型人才的培养的课程体系是高等学校进行人才培养的关键。高等学校在培养人才的过程中应凸显学生的专业能力知识的运用、提高专业知识的水平,加大教学实践的课程数目,将理论和实践有机结合,培养高等学校学生的动手实践能力,采用多样化的教学方式和教学课程形式,满足计算机应用技术专业的高等人才。     

CMP加工过程中晶片形状对抛光液流动特性的影响

化学机械抛光过程中抛光液的流动特性取决于被抛光晶片的形状和抛光参数.采用LIF技术来实验研究晶片形状及抛光参数对抛光液液膜厚度的影响.研究表明,凸面晶片与抛光垫摩擦过程中.抛光液膜厚度随着抛光盘转速的增加而增加,随着下压力的增加而减少.而凹面晶片的抛光液膜厚度随着转速的增加而减少,随着加工载荷的增加也减小.通过对晶片形状和加工参数对抛光液流动特性的影响分析,为改善CMP加工工艺提供理论性的依据.     

后锥角对串联空化腔室的空化特性的数值研究

针对串联式空化腔室的空化强度和效率存在的问题,展开了对其影响较大的后锥角β值的数值研究,为今后的空化腔室设计提供理论依据。采用Mixture多相流模型,以及k-?两方程湍流模型,在Fluent软件中仿真模拟后锥角β值连续变化的多种串联空化腔室流体域模型,抽取分析计算结果中的压力,速度及空泡体积分数的云图,进而研究后锥形角β值对空化流场的影响。研究结果表明:在后锥形角β值取15?附近能够获得强度相对较高的空化现象;产生空泡体积的大小、负压力的区域大小以及沿中轴线维持恒定速度的能力三者成正相关关系;后锥角β值直接影响着空化流场的分布情况,决定着最终喷射到工件表面的作用范围。     

基于激光诱导荧光技术的化学机械抛光机理的应用研究

虽然化学机械抛光(CMP)技术在半导体产业中得到越来越广泛的应用,但人们对化学机械抛光加工的理解还多半停留在经验阶段,为深入研究其加工机理,引入了激光诱导荧光(LIF)检测技术,在化学机械抛光(CMP)过程中使用LIF技术对晶片下抛光液的流动、混合、抛光液膜的厚度、温度、pH值进行可视化研究,从而来揭示CMP的加工机理.     

半固着磨具特性对其磨耗和工件材料去除的影响

为获得先进陶瓷材料的高效、高精度加工,通过采用新研制的半固着磨具来实现一种半固着磨粒加工技术．制作了以SiC为磨料的不同粒度和磨料浓度的半固着磨具（SFAT）,讨论分析了磨料粒度和磨料浓度对半固着磨具特性（剪切强度和表面硬度等）的影响．采用所制作的半固着磨具加工单晶硅片,研究半固着磨具的磨耗率和工件材料去除率．初步实验结果表明,磨料粒度#1000和磨料质量分数为65％的半固着磨具的磨具磨耗率最小且工件材料去除率最大．实验结果有助于指导半固着磨具制作．