温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析

通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面.采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p-Si基PTCDA薄膜的生长机制.     

智能调控开关稳压电源

通过单片计算机系统检测比较，驱动数字电位器自动调节输出电压为键盘键入电压值，实现稳压电源精密输出和智能调控。     

有机半导体9，9＇-联二蒽的合成及其结构表征

详细叙述了利用9-溴蒽为原料制备高纯9,9＇-联二蒽的方法,通过红外光谱、核磁共振谱、质谱对其结构进行了表征,并通过X射线衍射谱和紫外-可见光光谱分析了其成膜结晶性能和光吸收特性。     

有机半导体9,9'-联二蒽的合成及其结构表征

详细叙述了利用9-溴蒽为原料制备高纯9,9'-联二蒽的方法,通过红外光谱、核磁共振谱、质谱对其结构进行了表征,并通过X射线衍射谱和紫外-可见光光谱分析了其成膜结晶性能和光吸收特性.     

多孔硅基发光材料的研究进展

介绍了多孔硅经表面钝化后,其发光强度和谱线峰位的稳定性,以及多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱等方面的最新成果。     

便携式智能化动态汽车秤设计

本设计运用红外装置检测和单征机控制相配合,对行驶状态下的汽车进行动态称量。由于采用了新的检测办法和新的数据采集办法及较精确的数据处理方法,使设计的动态汽车秤具有较高的准确性和使用的方便性。此秤不仅能显示车重,而且能称量货重,判别是否超载,打印称量结果和迁移方便等功能。     

填充碳纳米管/石墨的有机导电膜

介绍一种填充碳纳米管/石墨的有机导电膜的制备及导电膜的组成与处理条件对其导电性能影响的研究.实验发现,当碳纳米管/石墨的配比为1/7-1/4,有机聚合物/导电填料的配比为27.6/72.4-32.4/67.6时,该有机导电膜具有最佳的电性能和力学性能,且在一定条件下呈现负的温度系数.采用多层结构模型推导出导电膜的电流密度表达式,其理论值与实验值相符合.     

LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO表面的AFM与XPS分析

用 AFM 对蓝色 OLED 的空穴传输层 LiBq4/ITO 和 LiBq4/CuPc/ITO 表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在 ITO 上成膜较差,在 CuPc 上成膜较好。说明加入 CuPc 能有效改善 LiBq4的成膜质量。XPS 对样品表面 In3d 和 Sn3d 的电子状态分析也证实 ITO 表面沉积 LiBq4膜存在裂缝,加入 CuPc 可抑制裂缝出现。分析指出,CuPc 由于 Cu(II)离子半满的 dx2-y2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大π键,使 LiBq4的沉积状态改善。     

p-Si基PTCDA的生长模式

对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品表面进行AFM测试,结果表明PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷.原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其他缺陷.得出PTCDA在p-Si基底上的生长模式为:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTCDA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构.     

有机电致发光器件退化机理的研究

介绍了“黑斑”和“气泡”造成的有机发光二极管失效的过程，对影响器件稳定性问题的诸多因素进行了分析。