100mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN

为实现在100 mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延(MOCVD)生长无裂纹GaN,系统研究了预铺铝时间参数对AlN成核质量的影响、不同厚度条件下AlN层对GaN生长的影响以及Al组分渐变的AlGaN缓冲层对GaN裂纹抑制的效果。实验结果表明,适当的预铺铝时间可以显著提高AlN成核层晶体质量,合理的AlN层厚度有助于上层GaN的生长,AlN与GaN之间AlGaN缓冲层的引入可以有效抑制GaN裂纹的产生。最后,采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)测试了MOCVD外延生长的无裂纹GaN材料,得到AlN(002)面、GaN(002)面和GaN(102)面的衍射峰半峰宽(FWHM)分别为1 382,550和746 arcsec。     

Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究

介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。     

Cu基Al掺杂ZnO多层薄膜的生长和性能

本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO／Cu、Cu／AZO和AZO／Cu／AZO三种复合结构多层膜,研究了生长温度对多层膜特性的影响,发现AZO／Cu双层薄膜具有最优的光电性能,其最佳生长温度为100～150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO／Cu双层薄膜结构性能和表面形貌的影响,结果表明：合适的生长温度有利于改善AZO／Cu双层薄膜的晶体质量,进而提高其光电性能;150℃下沉积的薄膜具有最佳品质因子1．11×10^-2Ω^-1,此时方块电阻为8．99Ω／sq,可见光透过率为80％,近红外反射率约70％。本文在较低温度下制备的AZO／Cu双层膜具有较优的透明导电性和良好的近红外反射性,可以广泛应用于镀膜玻璃、太阳能电池、平板显示器等光电领域。     

水热法制备CuAlO_2粉末

以CuO、Cu、Al2O3和NaOH粉末作为反应原料,通过水热法制备了CuAlO2粉末。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS),红外光谱对产物进行表征。XRD和SEM分析结果表明,反应时间、反应温度对产物的结晶程度和晶粒大小有着重要的影响。随着反应时间的增加,样品晶粒的粒径增大,而且晶粒变得均匀。XPS分析结果表明,当反应温度达到360℃,反应时间为12小时,反应产物中只有CuAlO相。     

ZnO∶Al替代ITO作透明导电膜的应用

研究了AZO(ZnO∶Al)替代ITO透明导电膜在GaN基LED中的应用,通过脉冲激光沉积和磁控溅射法制作了AZO薄膜,分析了AZO与p型GaN不良的欧姆接触的物理机理,并利用插入ITO薄层来改善接触电阻,实验用ITO 20nm/AZO 500nm的复合导电薄膜做透明导电薄膜,成功得到了波长为525.74nm、亮度为380.88mcd、电压为3.35V的GaN基绿光LED芯片,相当于单一ITO透明导电膜的性能,整个试验工艺中减少了ITO的使用量,降低了LED芯片的制造成本。