PLD法制备氧化锌薄膜生长机制及发光特性的研究

利用PLD法在Si衬底上成功地制备了具有较好C轴择优取向生长的ZnO薄膜,从样品的XRD谱可以看出在环境氧压为20Pa,衬底温度为700℃时生长的样品的XPD谱(002)峰半高宽较窄,膜的结晶程度最好.不同的衬底温度下膜的生长机制也不一样,主要有:V-L-S机制和V-S机制.样品室温下的PL谱显示所有样品均出现UV发射和可见光区蓝绿光发射,而蓝绿光发射强度随氧压的增大而增强,表明样品的蓝绿光发射来源于样品中的受主缺陷.     

脉冲激光沉积(PLD)法生长纳米ZnO薄膜的探索

在Si衬底上用脉冲激光沉积法生长C轴取向高度一致的ZnO纳米薄膜.实验制备ZnO纳米结构,其颗粒尺寸的控制是关键.通过改变衬底温度(400～700℃)和沉积时间,获得不同的ZnO纳米结构.SEM观察,在600℃时颗粒均匀且间隔明显,且该薄膜结构为不连续膜,这与其他衬底温度下所形成的薄膜结构有很大差异.XRD显示,600～700℃结晶良好.     

纳米晶Fe_2O_3和TiO_2结构相变的尺寸效应(英)

用DTA（差热分析）、TG（热重分析）和X射线衍射分析,研究了Fe2O3和TiO2纳米晶粒的结构相变．结果表明,对于Fe2O3纳米晶粒,只要没有发生γ→α转变,纳米晶粒就保持其原来的尺寸不变,而一旦发生了相变,晶粒的尺寸就会迅速长大．同样,对TiO2纳米晶粒,在从锐钛矿相→板钛矿相→金红石相的相变过程中,在相变发生以前,不管温度多高,纳米晶粒都保持其原来的尺寸不变,只要发生了相变,晶粒的尺寸就会迅速长大．对于纳米晶粒,依赖于晶粒尺寸的结构相变和依赖于结构相交的晶粒生长过程都是存在的．这是纳米晶的一种新的尺寸效应．     

Cu2ZnSnS4/Si异质结器件的制备及特性研究

利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结.利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行I-V测试,讨论不同电阻率的Si对异质结器件光电特性的影响.结果表明,器件有良好的整流特性,Si电阻率大的器件光电响应比较好,而Si电阻率小的器件光伏效应比较明显.     

脉冲激光沉积制备ZnO纳米棒的研究进展

综述了脉冲激光沉积法制备ZnO纳米棒的研究进展.介绍了不同制备参数条件下ZnO纳米棒的形貌特征、性质及其生长机理,阐述了利用脉冲激光沉积制备高质量ZnO纳米棒及阵列的条件,为ZnO纳米棒的制备及性质的深入研究提供了有益的参考.     

热电材料新进展

本文评述了热电材料研究的最新发展，指出它在制冷技术和能源工程上的广阔应用前景，系统地分析了影响品质因子提高的各种因素，指出了提高品质因子的一些可能途径。     

退火对Ag-SiO2复合薄膜形貌和光学特性的影响

使用磁控溅射制备Ag和SiO2相间的多层膜，系统研究了退火对复合薄膜形貌和光学特性的影响。实验发现退火时间越长，Ag颗粒直径越大，吸收谱峰位相对较短的退火时间有红移现象，并且吸收谱峰比较宽，比较强。在退火时间足够长的情况下，随着每层SiO2厚度的减小，Ag颗粒直径也减小，吸收峰强度变小，峰宽变窄，峰位有蓝移现象。我们做了大量实验，总结出了退火时间的计算公式。薄膜经过合适的退火时间，放置20d后发现出现小平面结构，Ag颗粒分裂，吸收谱峰宽变窄，吸收峰位蓝移。不同退火温度下的吸收谱表明500℃是一个比较理想的退火温度。