多孔硅场致电子发射

研究了多孔硅冷阴极的场致电子发射特性，实验表明采用电化学阳极腐蚀、氧化、蒸电极等工艺可以制备一种平面薄膜型多孔硅冷阴极。在超高真空环境下测量了多孔硅冷阴极的电子发射特性。     

Design and experimental research on a visible-near infrared spatial modulating Fourier transform spectrometer based on micro multi-step mirrors

A type of spatial modulating micro Fourier transform spectrometer （FTS） based on micro multi-step mirrors （MMSMs） is designed and manufactured in this paper. The interference system is based on Michelson interferometer, using two MMSMs instead of plane mirrors in two arms. The recovered spectrum is simulated with different distances between MMSMs and the detector, and the influence of diffraction on the recovered spectrum is analyzed. The edge-enlarging method for the MMSMs is proposed to eliminate edge noise, and the influence of surface roughness of MMSMs on the recovered spectrum is also analyzed. Moreover, the way of manufacturing the MMSMs is investigated.     

光子晶体及二维光子晶体波导

光子晶体是一种新兴的光学材料,其各种优异的光学特性可以用来制作所需要的光子晶体器件,。本文介绍了一维、二维、三维光子晶体的结构、特性及其主要的理论研究方法、实验制备方法,并着重阐述了二维光子晶体波导的特性及其制备方法及国内外研究进展。     

二维金属型光子晶体带隙研究

考虑金属的色散特性,运用时域有限差分方法计算了分别由Ag、Al两种金属构成的三角晶格二维金属型光子晶体的带隙结构,得出了带隙结构与填充率的关系曲线.以Ag填充率为0.6为例,三角晶格的第一带隙归一化频率的上限为0.90,第二带隙的范围为1.24～1.41;正方晶格第一带隙归一化频率的上限为0.70,第二带隙的范围为0....     

读者来信

刘放同志原在石油工业部和第六机械工业部任要职,1982年响应党的号召退了下来,现任全国政协委员、中国能源研究会顾问、辽宁省政府经济咨询顾问。鉴于农村缺柴不少,他将农村能源作为发挥余热的项目之一,每年亲赴数省调研,撰写了不少文章,提了许多宝贵建议。本刊今年第1期登载的《对我国发展沼气的看法和建议》一文就是其中的一篇。     

纳米石墨晶薄膜的场发射特性

研究了纳米石墨晶的场发射特性，介绍了纳米石墨晶薄膜的制备方法，通过扫描电镜和Raman光谱对纳米石墨晶的结构进行了分析，场发射特性测试表明纳米石墨晶薄膜的场发射阈值电场为1.8V/μm。根据实验结果计算出纳米石墨晶的有效功函数在0.75-1.62eV之间，研究表明纳米石墨晶薄膜具有一些独到的特点，也非常适合场发射显示用冷阴极的制备。     

碳纳米带的合成及场致电子发射

介绍了液相合成的碳纳米带的场致电子发射特性，探索其在场发射中的应用。碳纳米带的合成采用电化学液相合成的方法在硅衬底上制备而成。通过扫描电镜和Raman光谱对碳纳米带的结构进行了分析。场发射特性测试结果表明，碳纳米带膜的场发射阈值电场为2．5V/μm。研究表明碳纳米带具有一些独到的特点，也非常适合场发射显示用冷阴极的制备。研究纳米石墨带薄膜的场发射特性对其在场发射显示器件和其他真空微电子器件中的应用有重要的意义。     

GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究

良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对GaAs进行了腐蚀,在二者配比为3：1的条件下,在GaAs衬底材料上制备了深宽比为2：1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。     

二维硅薄膜光子晶体波导的设计及制作

为了制作可用于通信波段的二维硅光子晶体波导,研究了光子晶体波导的设计方法及制作工艺。应用平面波展开法计算了两种空气孔型光子晶体结构的TE波禁带,经筛选采用了三角晶格空气孔结构。同样利用平面波展开法计算了引入缺陷后二维三角晶格空气孔型光子晶体波导结构的TE波禁带,经对比发现归一化频率为0.295 7的缺陷态最适宜用来制备光子晶体波导,并据此设计了用于1.55μm波长的二维三角晶格空气孔型光子晶体波导,其晶格周期为458nm,空气孔直径为339 nm。对设计的结构参数进行了容差计算,结果表明误差在-3.95~5.65 nm方能满足设计要求。最后使用聚焦离子束刻蚀工艺,制作了所设计的波导结构,并进行了测试。测试结果表明,样品实际晶格周期为463nm,空气孔直径为344 nm,比设计值大5 nm,在容差允许范围内,满足设计要求。