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甄汉生 《真空科学与技术学报》1993,(2)
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。 相似文献
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For the determination of electron temperature in plasma,this paper presents a method tomeasure the deionized period by optical attenuation during afterglow.The apparatus was a tube filled to 1mmHg helium with a probe for comparison.The results agreed with the values measured by the probe.Due tousing plasma radiation,one need not worry that the discharge space would be disturbed and the probe wouldbe contaminated by depositing discharge products,So it is a simple and convenient method. 相似文献
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利用普适GaAlA3双异质结半导体激光器,观察到被动锁模现象。讨论了半导体激光二极管的自脉动、外腔中的诱导自脉动以及被动锁模间的区别与联系。 相似文献
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微波等离子体技术在微电子学工艺中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本世纪四十年代末期,人们就对微波放电进行了大量研究以适应当时大功率微波开关管的发展。六十年代中期,当高频(一般为13.56兆赫)放电技术在半导体工艺领域进行应用研究的同时,J.R.Ligenza等人就开展了用微波放电沉积薄膜的研究。七十年代初,日本日立公司、电电公社和日本真空株式会社开始对强磁场条件下微波形成等离子体技术进行了开发研究,并在1981年后陆续研制并生产了适用于刻蚀、沉积和离子注入的商品化装置。目前它们已经用于生产。本文将简略介绍强磁场条件下微波放电形成等离子体的物理特征及其在微电子学工艺中 相似文献
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