电子束中Boersch效应的实验研究

在现代电子光学与电子束技术研究中，Ｂｏｅｒｓｃｈ效应作为离散空间电荷效应的一个主要特征，越来越引起了人们的重视。本实验设计并制作了一台观察和测量Ｂｏｅｒｓｃｈ效应的实验装置，并进行了动态真空实验。实验装置的电子光学系统包括层流电子枪，聚焦透镜，准直透镜和拒斥场分析器等部分。     

基于表面势的MOSFET模型

基于表面势的模型由于其本质上的优点 ,在小尺寸器件建模中日趋得到重视。文中通过对几种典型的表面势模型的分析 ,论述了基于表面势模型的建模思想、特点和在电路模拟中的优越性。分析表明 ,这是一种基于物理描述的模型 ,具有连续性、物理意义明确、结构简明等特点 ,对建立小尺寸器件整体模型非常适合和有效。     

基于自动微分技术的器件模型参数提取算法

自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约束条件的参数提取。结果表明 ,算法收敛快、稳定性好、提取准确     

电子束中Boersch效应的实验研究

在现代电子光学与电子束技术研究中，Boersch效应作为离散空间电荷效应的一个主要特征，越来越引起了人们的重视。本实验设计并制作了一台观察和测量Boersch效应的实验装置，并进行了动态真空实验。实验装置的电子光学系统包括层流电子枪、聚焦透镜、准直透镜和拒斥场分析器等部分。对实验结果及数据进行了处理和分析，观测到了电子能量分布的反常增宽现象并测量了能量分布曲线。当束腰区束流为微安量级时，测得的电子能量分布宽度为1～3eV，并且得出了随着束流强度的增加能量分布展宽的近似规律。     

深亚微米FD-SOI器件亚阈模型

通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 .在此基础上 ,建立了亚阈漏电流模型 ,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性 ,模型计算结果与二维器件模拟软件 MEDICI的模拟结果相符     

用于电子光学系统像差分析的自动微分技术及其在VisualC＋＋平？…

本文研究了计算机数值计算与分析领域内的一个完全崭新的技术－自动微分技术。自动微分技术为带电粒子光学中的任意高阶像差分析与校正提供了一个很有效的工具。我们研究了自动微分功能利用面向对象的编程技术的实现,并在ＶＣ＋＋环境中编制了一个软件包,用于带电粒子光学系统中的粒子轨变追踪及像差分析。用此软件模拟了电子在二维偏转电场中的轨迹,其结果与解析解完全一致,可达到机器精度。     

用于电子光学系统像差分析的自动微分技术及其在Visual C++平台上的软件实现

本文研究计算机数值计算与分析领域内的一个完全崭新的技术——自动微分技术。自动微分技术为带电粒子光学中的任意高阶像差分析与校正提供了一个很有效的工具。我们研究了自动微分功能利用面向对象的编程技术的实现,并在ＶＣ＋ ＋ 环境中编制了一个软件包,用于带电粒子光学系统中的粒子轨迹追踪及像差分析。用此软件模拟了电子在二维偏转电场中的轨迹,其结果与解析解完全一致,可达到机器精度。     

Boersch效应实验系统聚焦透镜的优化设计

聚焦透镜是Ｂｏｅｒｓｃｈ效应实验系统的一个关键部件，我们对聚焦透镜的结构进行了优化设计，根据优化的约束，选用了带有外点罚函数的Ｐｏｗｅｌｌ法，研究了其算法的构造，并编制了相应的优化软件，用此软件进行优化计算后，得到了满足Ｂｏｅｒｓｃｈ效应实验要求的聚焦透镜。此结构用于实验中，观测到了明显的Ｂｏｅｒｓｃｈ效应。证明此优化方法Ｂｏｅｒｓｃｈ效应实验系统中的聚焦透镜设计非常有效。     

深亚微米FD-SOI器件亚阈模型

通过对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解亚阈区的二维泊松方程,得到全耗尽器件的表面势公式;通过引入新的参数,对公式进行修正,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型,能够很好地描述漏感应势垒降低效应.在此基础上,建立了亚阈漏电流模型,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性,模型计算结果与二维器件模拟软件MEDICI的模拟结果相符.     

带电粒子束偏转系统像差分析的自动微分方法

根据AD技术的基本原理,研究了对带电粒子光学系统进行像差分析的AD方法,给出了偏转系统高斯光学性质及三阶几何像差系数的AD表述。利用面向对象的编程技术,在Visual C++中编制了一个软件包,实现了基本AD功能及带电粒子光学计算功能。用此软件计算了鞍型线圈磁偏转器的高斯光学性质及三阶像差,其结果具有非常高的精度,高斯光学性质的计算相对误差仅为10－１３量级甚至更低。证明AD方法对带电粒子光学系统的像差分析是极其有效的。