直流电弧等离子体球化U3Si2粉体

研制了直流电弧等离子体球化U3 Si2 粉体装置。在Ar He气氛下对粒度为 1 0～ 1 5 0 μm范围内不规则形状的U3 Si2 粉体进行了球化。球化率达 90 %。     

直流电弧等离子体球化U_3Si_2粉体

研制了直流电弧等离子体球化U3 Si2 粉体装置。在Ar+He气氛下对粒度为 10～ 15 0 μm范围内不规则形状的U3 Si2 粉体进行了球化 ,球化率达 90 %。     

球形微米和纳米级SiO_2的生产新工艺

1　球形微米和纳米级ＳｉＯ2的用途目前,世界上每年生产18万ｔＳｉＯ2电子封装材料,研磨法制取的ＳｉＯ2占70%左右。球形ＳｉＯ2每年销量2～3万ｔ。不规则ＳｉＯ2在封装时其封装密度小,在温度变化时其膨胀系数大,这对电子元件会造成不稳定。而球形的ＳｉＯ2作封装材料时,由于提高了致密性,导致密度增大,结果使膨胀系数缩小,提高了电子元件工作的稳定性和可靠性。塑料封装大规模、超大规模集成电路所需环氧模塑料,它的填充料大部分或全部都是球形二氧化硅粉(俗称硅粉),其质量占模塑料质量的80%～90%。所以球形硅粉的质量及其国产化就显得十分…     

直流电弧等离子体球化U3Si2粉体

研制了直流电弧等离子体球化U3Si2粉体装置,因Ar He气氛下对粒度为10－150μm范围内不规则形状的U3Si2粉体进行了球化，球化率达90％。