表面稳定模式铁电液晶的电光特性测试

采用一种改进的高分子膜摩擦定向法成功地实现了表面稳定模式铁电液晶的光学双稳态，对比度大于１４０，响应时间达１００微秒。     

Brewster起偏器用于球面波的偏振性能分析

本文利用电磁场理论研究了球面波通过Brewster起偏器时出射光的偏振态分布,发现该起偏器只在一条特殊线上对球面波完全起偏。对分析曲面波经过Brewster起偏器的偏振象差具有一定的意义。     

偏光棱镜视场角的严格分析

本文以格兰·泰勒棱镜为例,给出了任意入射面上的视场角计算公式,分析了视场角与入射面方位的关系,为高精度棱镜的测量和棱镜特征参量的精确标定提供了依据。     

SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究

研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。     

一种金属填充硅通孔工艺的研究

硅通孔(Through silicon via)的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺,包括阻挡层淀积工艺和钨填充工艺,分析了不同填充工艺所造成的应力的变化。最后获得了一种深宽比达到58∶1的深硅通孔无缝填充。     

电寻址铁电液晶空间光调制器及其驱动电源研制

介绍了６４×６４点阵铁电液晶空间光调制器（ＦＬＣＳＬＭ）及其驱动电路。该调制器对比度大于６０１，帧速大于２７帧／ｓ，在计算机控制下可以驱动ＦＬＣＳＬＭ显示动态图像。     

激光退火工艺在绝缘栅双极型晶体管的应用

激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。基于一种国产激光退火设备,对激光退火工艺的关键参数如激活率、激活深度与工艺条件之间的关系进行了研究。结果表明:双激光具有比单激光更高的激活率。在使用双激光时,B的激活率与注入剂量有一定的关联,最高激活率可接近80%;磷的激活率也与剂量有一定的关系,最高可以达到100%。对激光退火处理样品进行TEM观察发现,再结晶后的激活区没有晶格缺陷。对采用激光退火工艺的IGBT器件性能分析表明,采用该工艺的器件性能参数基本达到国外竞争对手同类产品的同等水平。     

一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件特性研究

对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器件),并且成功地被应用于光通讯和射频功放等商业产品中。     

沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究

本文分析了沟槽栅功率器件中对栅氧化膜特性造成影响的主要工艺因素,报告了一种获得高性能栅氧特性的方法,并且对栅氧化膜特性改善的机理进行了研究。对于厚度55nm的沟槽栅氧化膜,其正向偏置和反向偏置下的击穿电压都高于30伏特。