LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布

采用提拉法生长得到LGS单晶，采用磷酸作腐蚀刘，对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明：对于不同方向晶面．腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定．其极轴是二次轴[112^-0]方向．并可具体确定极轴方向。关于腐蚀坑的分布可以判定，在现行条件下生长的晶体具有较高的质量。     

ZnGeP2多晶料合成与晶体生长

以99.999%的锌、锗和红磷为原料通过直接化合的方法合成ZnGeP2多晶料,采用布里奇曼法通过自发成核方式生长出尺寸为Ф7mm×25mm的ZnGeP2晶体.X射线粉末衍射实验表明合成的多晶料的成分是ZnGeP2,所获ZnGeP2晶体的结构属于四方晶系,空间群I42d.X射线摇摆曲线表明所得晶体完整性较好.用莫氏硬度计测得ZnGeP2晶体的莫氏硬度为6.5.测量了晶体的热重和差热曲线,证明在室温～800℃的范围内晶体热学性质稳定.