基于虚拟技术的单闭环直流调速系统的研究

本文建立了他励直流电动机虚拟模型,通过模型进行仿真算法分析,并利用虚拟技术,在仿真平台上实现仿真,在上位机上显示数据,对单闭环直流调速系统进行可行性研究与优化。仿真做的主要前期工作为模型建立,通过电枢回路方程和动力方程进而推导出电动机的数学模型方程,并对模型进行分析计算。后期工作对所建立的模型进行仿真,并调试出模型数据,进而得到仿真结果。设计的虚拟模型建立在虚拟仿真平台上,利用平台的模拟和数字输入输出端口进行信号的采集和传递,并利用仿真平台强大的内部资源进行运算分析,从而达到期望的研究效果。     

量子尺寸纳米TiO2的水热制备及光催化性能

在钛酸丁酯和乙醇体系下,利用水热法制备了平均粒径为4～10 nm的量子尺寸锐钛矿型纳米二氧化钛粉末,并研究了此粉末的光催化活性和晶粒粒径、荧光发射光谱的关系.结果表明: 制备的纳米二氧化钛粉末在粒径为8～9 nm时光催化活性最好,当晶粒粒径再减小以后,由于表面活性的增加导致晶粒表面羟基的增加,成为电子和空穴的复合中心而使活性降低.同时此粉末的荧光发射光谱中并没有发现荧光峰位随着晶粒粒径变小而发生位移,并且荧光发射光谱峰的强度和光催化活性之间没有成比例的关系.     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

用于微测辐射热计的氧化矾热敏材料的温度特性

氧化矾作为非制冷微测辐射热计的热敏材料,电阻率p和电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of Resistance)是表征其性能的重要参数.通过对用离子束溅射得到的氧化矾薄膜在相同时间不同温度下的N2+H.退火实验,我们发现氧化矾薄膜的电阻率p和电阻温度系数TCR之问存在着密切的正相关关系,AES结果表明它们的变化对应着氧化矾热敏材料的O/v比例(或氧空位浓度)的变化.这三个参量随着退火温度的改变而变化,在350～500℃的退火温度范围内,我们发现电阻率p,电阻温度系数TCR以及O/V比例随着温度的变化均出现一个峰值.通过对氧化矾的电阻温度特性的分析,我们讨论了氧化矾薄膜的导电机制.我们认为,用本方法制备的氧化矾薄膜在室温下导电的载流子主要来自于相对较深能级杂质的电离.     

Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响

在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.     

迈克耳孙干涉仪中补偿板对单色光干涉的作用

从实验上和理论上研究了迈克耳孙干涉仅中补偿板的作用，证明了它无论对于白光或单色光都是十分重要的。     

掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响

利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775MPa和1.31GPa,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜).应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.     

多孔介质冰蓄冷板的融化过程

模拟研究了泡沫铝、泡沫铜、网状聚氨酯泡沫的孔隙参数对多孔介质冰蓄冷板的融化过程的影响,得到了第三类边界条件下多孔介质冰蓄冷板融化过程的时间、温度分布、相界面移动等的规律。结果表明,多孔介质热导率越高,温度分布越均匀,相界面越模糊,冰蓄冷板融化时间越短;融化时间随多孔介质孔隙率的减小和孔密度的减少而缩短,孔隙率的影响程度大于孔密度;与纯冰相比,本研究中泡沫铜最多可将冰蓄冷板融化时间缩短15.2%。多孔介质热导率越低,冰蓄冷板的融化时间越长;融化时间随着孔密度的增加而缩短,随孔隙率的减小而略增;与纯冰相比,本研究中网状聚氨酯泡沫最多可将冰蓄冷板释冷时间延长11.8%。最后对填充泡沫铜和网状聚氨酯泡沫冰蓄冷板的融化时间进行了试验验证,试验结果与模拟结果较为一致。     

Study on hardware-in-the-loop simulation of beer fermentation system

啤酒发酵过程是一个复杂的生化反应过程,控制目标是控制发酵罐内麦汁的温度符合发酵温度曲线,保证发酵的顺利完成。针对控制对象大惯性、大时滞及3个温区相互耦合的特点,我们采用数字增量式PID控制算法实现控制,控制量经过对角阵解耦后作用到控制对象。最后,啤酒发酵系统由VB程序和组态王软件仿真。该系统可以在实验室中完成的,具有安全性高、成本低的特点,非常适用于实验教学。     

Capacitance-voltage characterization of fully silicided gated MOS capacitor

This paper investigates the capacitance-voltage （C-V） measurement on fully silicided （FUSI） gated metal-oxide-semiconductor （MOS） capacitors and the applicability of MOS capacitor models. When the oxide leakage current of an MOS capacitor is large, two-element parallel or series model cannot be used to obtain its real C-V characteristic. A three-element model simultaneously consisting of parallel conductance and series resistance or a four-element model with further consideration of a series inductance should be used. We employed the threeelement and the four-element models with the help of two-frequency technique to measure the Ni FUSI gated MOS capacitors. The results indicate that the capacitance of the MOS capacitors extracted by the three-element model still shows some frequency dispersion, while that extracted by the four-element model is close to the real capacitance, showing little frequency dispersion. The obtained capacitance can be used to calculate the dielectric thickness with quantum effect correction by NCSU C-V program. We also investigated the influence of MOS capacitor＇s area on the measurement accuracy. The results indicate that the decrease of capacitor area can reduce the dissipation factor and improve the measurement accuracy. As a result, the frequency dispersion of the measured capacitance is significantly reduced, and real C-V characteristic can be obtained directly by the series model. In addition, this paper investigates the quasi-static C-V measurement and the photonic high-frequency C-V measurement on Ni FUSI metal gated MOS capacitor with a thin leaky oxide. The results indicate that the large tunneling current through the gate oxide significantly perturbs the accurate measurement of the displacement current, which is essential for the quasi-static C-V measurement. On the other hand, the photonic high-frequency C-V measurement can bypass the leakage problem, and get reliable low-frequency C-V characteristic, which can be used to evaluate whether the full silicidation ha