低介电常数多孔氮化硅陶瓷的制备

采用凝胶注模成型工艺,以SiO2含量大于等于95%的空芯玻璃微珠作造孔剂,通过控制造孔剂的加入量和调节造孔剂的孔径成功制备出低介电常数、高强度的多孔Si3N4陶瓷。结果表明,随着造孔剂含量的增加,试样气孔率增大,弯曲强度降低,ε和tanδ都相应降低,ε最低为1.77;在造孔剂加入量为10%时,随着造孔剂的孔径尺寸变大,试样的孔径变大,弯曲强度降低,试样的ε和tanδ也相应降低。当造孔剂含量为10%、孔径尺寸为80μm时制备的多孔氮化硅陶瓷ε为2.13,弯曲强度达到38MPa,适合作为宽频带天线罩的夹层材料。     

天线罩表面复杂区域的仿真有效性研究

天线罩分析的高频方法基于局部平板近似、网络传输矩阵和等效电磁流积分法求解带罩天线的远区场,罩面曲率等因素对其计算精度的影响程度备受关注。分别采用射线法、口径积分-表面积分法和体积分方程法,针对天线罩尖部大曲率区域和平滑罩面上局部大曲率扰动2种情况,研究了高频方法的计算误差与罩面曲率的关系,结果表明:在罩面曲率半径大于5倍波长时高频方法能达到较好的精度,但在小于2倍波长时将出现严重的计算误差。