添加Y2O3-Dy2O3的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构

本文探索了以自蔓延高温（SHS）法合成并经抗水化处理的AlN粉为原料,以Y₂O₃－Dy₂O₃作为助烧结剂的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构．结果表明,晶界处存在Dy₄Al₂O₉、Y₄Al₂O₉、DyAlO₃、Dy₂O₃和DyN等第二相物质,随烧结温度变化,第二相的种类、数量和分布不同,显微结构也随之变化,从而影响AlN的热导率．在1850℃下,可获得热导率为148W／m·K的AlN陶瓷．     

添加Y2O3-Dy2O3的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构

本文探索了以自蔓延高温（ＳＨＳ）法合成并经抗水化处理的ＡｌＮ粉为原料,以Ｙ２Ｏ３－Ｄｙ２Ｏ３作为助烧结剂的ＡｌＮ陶瓷的烧结特性及显微结构,结果表明,晶界处存在Ｄｙ４Ａｌ２Ｏ９、Ｙ３Ａｌ２Ｏ９、ＤｙＡｌＯ３、Ｄｙ２Ｏ３和ＤｙＮ等第二相物质,随烧结温度变化,第二相的种类、数量和分布不同,显微结构也随之变化,从而影响ＡｌＮ的热导率,在１８５０℃下,可获得热导率为１４８Ｗ／ｍ·Ｋ的ＡｌＮ陶瓷。     

高导热高电绝缘AlN低温特性及热分析

基于AlN在超导应用的低温实验基础上，报道上海硅酸盐研究所研制的AlN材料在低温30K～160K温度范围的热导率，实验表明其热导率随温度增加而增大；并从低温微结构工程学角度来阐明它的传热机理与热分析。为超导应用直接冷却的经验设计发展到计算设计提供理论基础与实验应用数据。     

AIN陶瓷氧化行为的研究

探索了AIN陶瓷在不同烧结气氛、湿气及不同温度下的氧化行为和机理.结果表明:湿气的存在显著地影响了AIN陶瓷的氧化行为,1225℃,AIN陶瓷在湿氮气、湿氮气:氧气=10:1及湿空气条件下的氧化遵循抛物线性规律,而干空气条件下遵循线性规律;空气中氧化时,AIN陶瓷的氧化曲线在1100～1300℃表现为线性,当温度超过1300℃时,氧化曲线表现出抛物线性的规律,其线性氧化过程的反应活化能为233kJ/mol.     

添加Sm2O3的AlN陶瓷的显微结构和导热性能

以自蔓延高温合成方法（SHS）制备的并经抗水化处理的AIN粉体为原料,研究了埋粉条件对添加Sm2O3的AIN陶瓷显微和导热性能的影响,结果表明,在不同埋粉烧结条件下试样周围的还原性气氛增强有助于形成较高Sm/Al比的晶界相,不加埋粉有利于晶界相的排出,这些因互均有助于提高AIN陶瓷的热导率,不加埋粉性1830度烧结可获得热导率为166W／（m.K)的AIN陶瓷。     

AlN陶瓷基板覆铜技术的研究

探索了AlN陶瓷基板表面氧化状态对敷接强度的影响。结果表明:敷接过程中Cu[O]共晶液体对未经氧化处理的AlN陶瓷基板的浸润性较差,不能形成牢固的结合;AlN陶瓷表面经氧化处理后能够显著改善与Cu[O]共晶液体的浸润性,其界面结合强度与氧化工艺密切相关,受热应力的影响,空气条件下氧化试样的敷接强度大于湿气氛下(N₂:O₂=10:1)氧化试样的敷接强度;空气下1300℃氧化30min制得的AlN-DBC试样,敷接强度达2.8kg·mm^-2,其界面反应层的厚度约2～3μm,生成界面产物CuAlO₂,从而获得了较高的敷接强度。