一种刺激型混合炸药的制备及性能研究

采用新型控暴剂合成辣椒素(PAVA),制备了一种刺激型混合炸药,采用溶液吸收法、差示扫描量热法、压力传感器法、热加速老化法等手段研究了混合炸药的有效利用率、相容性、自发火温度及安定性、长期贮存稳定性、感度、挥发分、吸湿性等参数。结果表明该混合炸药成型性好、活性组分有效利用率高、烟云刺激效应强、质量稳定性好、使用安全,是未来控暴弹药的主装药剂之一。     

微合金钢高温热塑性低谷区硼的偏聚

利用径迹显微照相技术研究了2.25Cr-1.0Mo钢以15℃/s从1320℃冷却到1000、900、800℃等温10s时硼的分布,讨论了硼的偏聚对含硼低碳钢热塑性的影响.结果表明,从高温冷却到各实验温度时,硼偏聚到奥氏体晶界,在900℃左右偏聚量最大.含硼0.00075 wt%样品晶界与晶内均未出现明显的含硼析出,含硼0.0035 wt%的样品冷却到900℃和800℃时,时,晶界与晶内出现少量含硼析出物.含硼0.0081 wt%的样品,在1000℃时,晶界和晶内均已出现大量含硼析出物,随着温度的降低,含硼析出物增多,冷却到800℃时,偏聚到晶界的硼多数已析出.分析表明添加硼后,硼偏聚到奥氏体晶界,抑制了晶界处铁素体的形核,提高了含硼钢的热塑性.     

超低碳微合金钢中硼的偏聚

用硼径迹显微照相技术研究了超低碳微合金钢从1150℃以5℃/s冷却到850℃过程中硼晶界偏聚的形成与发展过程,测量了不同温度时硼富集因子与贫化区宽度,分析了铜元素对硼晶界偏聚的影响.结果表明:在冷却初始阶段,晶界硼偏聚量迅速增加,在1000℃左右达到最大值后,随着温度的降低,硼晶界偏聚量开始逐渐减少,在910℃左右达到最小,温度继续降低,晶界上硼的偏聚量又开始增加.实验结果还表明添加铜元素能促进硼向晶界的偏聚.     

OC控暴剂爆炸分散用高能材料研究

采用差示扫描量热法(DSC)、压力传感器法(VST)、微热量热法对OC控暴剂与几种高能炸药的反应能力迚行研究。首先采用DSC对OC控暴剂与六硝基六氮杂异伍兹烷(CL-20)、奥克托今(HMX)、六硝基茋(HNS)、黑索今(RDX)、喷特儿(PETN)、1,3,5-三氨基-2,4,6-三硝基苯(TATB)、1-氧-2,6-二氨基-3,5-二硝基吡嗪(LLM105)7种炸药迚行快速筛选测试,结果表明OC控暴剂与7种炸药均不相容,在OC控暴剂的作用下炸药的分解峰温降低7.6～108.5℃;采用压力传感器法和微热量热法对OC控暴剂与RDX、HMX迚行产气和热流变化测试,根据反应净增气量判定RDX与OC控暴剂两者为中等反应,HMX与OC控暴剂两者相容;RDX、HMX和OC控暴剂的理论热流曲线均位于混合热流曲线之上。结合各实验结果,综合评价认为HMX与OC控暴剂的反应能力较弱,更适合作为OC控暴剂爆炸分散用高能材料。     

二(5-胺基-1,2,3,4-四唑)二肼盐的热分解行为

为详细了解二(5-胺基-1,2,3,4-四唑)二肼盐(Hy_2BTA)的热分解行为,采用热重-差示扫描量热-傅里叶红外光谱-质谱(TG-DSC-FTIR-MS)联用的方法,测定了该化合物在不同升温速率下的热分解曲线、分解气体产物的种类及其含量变化。结果表明:随着温度升高,Hy_2BTA的热分解包括2个吸热过程和2个连续地放热过程,分别对应于Hy_2BTA分子第一个离子键断裂脱除NH_2NH_2;第二个离子键断裂脱除NH_2NH_2的过程中,四唑环开始以断裂—N—N—键的方式释放N_2;四唑环及剩余骨架裂解产生N_2、HN_3、NH_3和HCN;剩余骨架分解产生HN_3、N_2和NH_3,裂解产物聚合成含氮高聚物。利用Kissinger方法计算4个过程的表观活化能分别为115.12,193.75,334.16 kJ·mol~(-1)和243.40 kJ·mol~(-1)。     

H_2BTA的非等温热分解特性

为详细了解N,N-二(1(2)氢-5-四唑基)胺(H_2BTA)的非等温热分解特性,用热重-差式扫描量热-傅里叶红外光谱-质谱联用(TG-DSC-FTIR-MS)测定了该化合物在不同升温速率下的热分解特性、分解气体产物的种类及其含量变化,并分析了其热分解机理。结果表明,随着温度的升高,H_2BTA的热分解分为3个连续的过程:(1)以-N-N-键断裂脱除N_2为主的分子中四唑环裂解;(2)骨架中-N-N-键的进一步断裂释放N_2;(3)剩余骨架裂解产生N_2、NH_3、HN_3和HCN。3个分解过程表观活化能分别为187.19、142.32和198.93kJ/mol。     

含铜超低碳微合金钢冷却过程硼的晶界偏聚

用硼径迹显微照相技术研究含铜超低碳微合金钢从1 150℃以5℃/s冷却到850℃过程中硼的晶界偏聚的形成与发展的过程。统计分析了冷却到不同温度时富集因子与贫化区宽度的变化,研究表明在冷却初始阶段硼—空位复合体迅速扩散到晶界上,使晶界上的硼迅速增加,在1 090℃达到极大值,冷却到1 090～940℃区间时,随着温度的降低晶界上的硼发生明显的反向扩散,晶界上的硼逐渐减少,继续降低温度,随着析出物的出现反向扩散变弱,晶界上硼的偏聚量又开始增加。     

氧氩比对低活化马氏体钢表面氧化铪涂层性能的影响

本文采用射频磁控溅射法在不同氧氩比下制备氧化铪涂层.研究了涂层的沉积速率、表面形貌、微观结构和电绝缘特性随氧氩比的变化.结果表明用此方法在低活化马氏体钢上制备的氧化铪涂层表面致密、无明显孔洞;低活化马氏体钢为衬底时涂层较易结晶为以单斜相为主的晶体结构;且涂层的绝缘特性受氧氩比影响较大,氧氩比为0.7和1.2下制备的涂层击穿场强小于1 MV/cm,电绝缘特性较差,在较低氧氩比下制备的涂层有较理想的绝缘性能.