GRAPH-1图形教学软件

GRAPH-1是一个以演示为主的计算机图形教学辅助软件,它包括直线生成、自由曲线曲面、图形变换、立体描绘、动态显示、几何图案等和键盘绘图七个模块,形象地演示图形处理技术各部分理论所实现的功能。它使用高级语言编程,提供源程序和说明提示,在显示处理与用户界面处理等问题都有其独特的手段,本文将对GRAPH-1的结构与算法以及显示处理方面的内容作一介绍。     

氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响

采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20~150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势。厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284μA/cm2。AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空。     

稀磁合金的s-d混合效应对低温杂质电阻和传导电子比热的影响

在Anderson s-d混合模型中，考虑了传导电子与声子的相互作用以及传导电子与d电子间的库仑相互作用，利用格林函数方法，讨论了混合效应对低温杂质电阻和传导电子比热的影响。     

教学版AutoCAD研究

AutoCAD是美国Autodesk公司推出的微机辅助绘图软件,具有较强的图形功能和开放的结构,自问世以来已获世界公认。本文将论述对AutoCAD软件包进行选择、重组并进行二次开发后的教学版AutoCAD的组成、应用等问题。     

硼碳氮薄膜的内应力研究

采用射频磁控溅射技术制备出硼碳氮(BCN)薄膜。傅里叶红外吸收光谱(FTIR)测量发现样品的组成原子之间实现了原子级化合,扫描电子显微镜(SEM)测量发现样品与衬底间存在较大的内应力。样品剥落后,应力的消除使红外吸收峰向低波数移动。实验还发现,对新制备的硼碳氮薄膜进行600℃热处理能有效释放薄膜中的压应力。     

铁电体BaxPb1—xTiO3系列高压Raman光谱及压致软模相变…

本文研究了铁电体系列催化剂ＢａｘＰｂ１－ｘＴｉＯ３在常温常压及常温高压下的Ｒａｍａｎ光谱和压力感应软模相变。对含钡量不同的几种样品的Ｒａｍａｎ光谱散射峰对应的声子频率随压力的变化的分析表明，ＢａｘＰｂ１－ｘＴｉＯ３晶体的相变压力，随晶体中Ｂａ组分含量的增加而减小。     

提高AutoCAD作图速度的技巧

本文讨论了许多措施以提高AutoCAD的运行速度,节省绘图时间。     

工作气压对TiO2薄膜结构的影响

用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气体中制备了TiO2薄膜，Raman光谱测量表明，工作气压从0．2Pa变化到2Pa时，TiO2薄膜的结构由金红石相变化到锐钛矿相，厚度对TiO2薄膜结构没有明显影响．     

表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失.     

磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

研究了在纳米厚度范围内，TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系。利用射频磁控溅射方法，使用高纯Ti(99．99％)靶，通入Ar和O2的混合气体，制备了TiO2薄膜，薄膜膜厚15—225nm,在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率，发现TiO2薄膜的导电性，先后在导体、半导体和绝缘体范围变化。这归因于基底材料与TiO2的功函数不同，导致了界面电子的转移，功函数差决定了电子转移的深度。