ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10–4?·cm,可见光透光率达80%以上。     

淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜 ,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系 ,并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况。所镀制的ITO膜电阻率已降到 <2× 10 - 4Ω·cm ,可见光透过率达 80 %以上。     

φ76.2mm区熔〈100〉单晶硅的研制

本文采用正籽晶、平置小内径线圈工艺成功地制备了φ76.2mmFZ〈100〉晶向单晶硅,研究了单晶生长机理与工艺。产品纯度高、质量好,加工性能优于同类产品,已日益得到广泛应用。     

磁控溅射法镀制红外低辐射膜的研究进展

本文介绍了采用磁控溅射法在玻璃和柔性衬底上镀制红外低辐射薄膜的研究进展.根据国内外的研究现状,对薄膜的节能原理、制备方法、膜层结构及其光学、热学性能进行了综述,较详细地论述了目前低辐射薄膜研究中较为突出的金属银氧化和介质层增透的问题.     

金刚石表面化学镀镍工艺

对金刚石表面化学镀镍金属化工及其影响因素进行研究,并探讨了相关工艺条件对金刚石性能的影响。结果表明,化学镀镍层能显著提高金刚石的热稳定性和抗氧化温度。     

退火温度对Nb掺杂TiO_2薄膜结构与性能的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Nb掺杂TiO_2透明导电薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光谱(UV-Vis)及双电测四探针仪对薄膜的结构和性能进行了表征.结果表明:退火温度250℃以上时,得到锐钛矿相Nb掺杂TiO_2薄膜,且薄膜结构和光电性能随温度升高而改善;300℃时薄膜可见光透过率最高可达80%,电阻率降至2.5×10-3Ω·cm;当温度升至350℃时,薄膜晶体开始出现金红石相,光电性能也随之下降.另外,Nb掺杂有利于降低TiO_2薄膜晶体的晶相转变温度;掺杂后TiO_2薄膜的吸收限发生蓝移现象,并且随着退火温度改变,薄膜吸收限产生蓝移的程度有所不同.     

溶胶-凝胶法制备FTO透明导电膜

介绍了采用溶胶－凝胶法制备ＳｎＯ２掺杂Ｆ的透明导电膜（简称ＦＴＯ膜）的实验方法,并讨论了加水量、掺杂量、ｐＨ值及热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响。实验表明,水：醇为０．２５～１．５,Ｆ：Ｓｎ为０．２６～１,ｐＨ值为１．５～３,热处理温度为４００～６００℃,可得到透明导电性良好的ＦＴＯ透明导电膜。甲酰胺可以抑制醇盐水解,提高缩聚速率并避免薄膜干燥开裂。     

ITO薄膜的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜。研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响。结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果好,膜厚70nm以上、溅射气压0.45Pa和溅射速率23nm/min左右为最佳工艺条件,并得到了ITO薄膜电阻率1.8×10–4Ω.cm、可见光透过率80%以上。