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单壁纳米碳管/纳米铝基复合材料的增强效果 总被引:12,自引:0,他引:12
用半连续氢电弧法和活性氢等离子蒸发法分别制备出单壁纳米碳管(SWNTs)和纳米A1粉体,然后用提纯后的SWNTs和纳米A1粉体制备出SWNTs含量(质量分数)分别为0、2.5%、5.0%、7.5%和10.0%的单壁纳米碳管/纳米铝基块体复合材料.SWNTs对高强度纳米A1基体具有显著的增强作用,当SWNTs含量小于5.0%时,材料的硬度随着SWNTs含量的提高线性上升.其中5%SWNTs和纳米A1的复合增强效果最好,其硬度可达2.89GPa,大约是粗晶A1(0.15GPa)的20倍.当SWNTs含量超过5.0%时,增强效果开始缓慢的下降.讨论了单壁纳米碳管增强纳米铝基复合材料的强化机制. 相似文献
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西宁—日月山750kV同塔双回线路接地开关选择研究 总被引:1,自引:0,他引:1
简要分析了同塔双回线路感应电流和电压的产生原理,结合西宁至日月山750 kV同塔双回线路工程实际,应用ATP仿真软件进行了建模仿真计算,其计算结果表明同塔双回线路接地开关的电容、感应电压等参数可能超出IEC标准的B类开关限值,对类似工程设计具有重要参考意义. 相似文献
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文章结合750 kV输电线路特点提出了该电压等级导线截面选择的思路与方法,首先由经济电流密度进行导线截面初选,提出6×LGJ- 300、6×LGJ-400、6×JL/GIA-450三种线路截面方案,再进行了导线长期载流量、无线电干扰、可听噪声校核计算,最后结合年费用经济指标比较,提出西宁-日月山750 kV输电线路导线... 相似文献
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采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜的形核和生长机制的影响。结果表明,预沉积Al层能促进AlN的形核和生长,进而提高GaN外延层的薄膜质量。TMAl流量太低则预沉积Al层不充分,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与在气氛中团聚长大并沉积的低结晶度AlN薄膜之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而提高,GaN薄膜的质量也随之提高。TMAl流量太高则预沉积Al层过厚,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与Al-Si回融蚀刻之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而降低,GaN薄膜的质量也随之降低。 相似文献
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单壁纳米碳管增强纳米铝基复合材料的制备 总被引:14,自引:0,他引:14
将用氢电弧法制备的单壁纳米碳管(SWNTs)提纯后与纳米Al粉体混合,在室温下冷压成型,再在260~480℃真空热压处理,制备出相对密度大于90%,SWNTs弥散分布于纳米Al基体中的单壁纳米管增强纳米复合材料,含量为2.5%(质量分数)的SWNTs对纳米Al基体的增强效果约为55%,SWNTs/纳米Al复合材料的硬度随热压温度的升高而增加,热压温度为380℃时硬度达到峰值2.21GPa,大约是粗晶Al的15倍,比同样温度热压出来的纳米Al块体的硬度高36.4%。 相似文献
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ZHU Dehua 《等离子体科学和技术》2015,17(11):909-913
The concentration of elements in molten metal of AZ31 magnesium alloy after long pulsed Nd:YAG laser processing was quantitatively analyzed by using calibration-free laser-induced breakdown spectroscopy (CF-LIBS). The composition change in AZ31 magnesium alloy under different laser pulse width was also investigated. The experimental results showed that CF-LIBS can obtain satisfactory quantitative or semi-quantitative results for matrix or major elements, while only qualitative analysis was possible for minor or trace elements. Moreover, it is found that the chemical composition of molten metal will change after laser processing. The concentration of magnesium in molten metal is lower than that present in the base metal. The Mg loss increases with an increase of pulse width in the laser processing. This result shows that the selective vaporization of di?erent elements is a?ected by the pulse width during laser processing. 相似文献
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