水热法合成氧化镍-二氧化硅催化剂及其用于碳纳米管的制备

以硝酸镍和正硅酸乙酯为原料，制得Ni(OH)2／SiO2二元胶体，经水热晶化法和常压干燥法分别合成了纳米级氧化镍-二氧化硅复合粉体催化剂}用这两种催化剂在相同催化裂解条件下分别制得了多壁碳纳米管；采用XRD和TEM等测试手段对两种催化剂物相、形貌及由两种催化剂制得的碳纳米管形态、收率及纯度作了比较，结果表明：水热晶化法比常压干燥法合成的催化剂粉体颗粒粒径小(为10～20nm），分散性好，催化活性高，使得所制得的碳纳米管管径小(为10～16nm)、分布窄、纯度和收率都相对较高；同时对用不同水热反应温度合成的催化剂(物相不同)制备碳纳米管进行了研究。     

交联电缆常见接地故障的原因和查找方法

介绍交联电缆的常见故障,提出故障点的查找方法.     

气体压强对氮气氛下制备的C60纳米薄膜形貌和光学性质的影响

用扫描电镜、双光束紫外 可见分光光度计和椭偏仪研究了在氮气 (N2 )氛下制备的C6 0 薄膜的表面形貌及光吸收特性。研究发现 ,薄膜表面粒子粒径随气压的增大而增大 ,表面结晶现象也随气压增大而明显 ;与真空中制备的C6 0 薄膜比较 ,发现其紫外 可见吸收的相对强度明显不同 ,吸收峰位红移 ;并且随着氮气压强的增加吸收峰位红移增加。对氮气氛下C6 0 薄膜的形成机理及光吸收特性进行了讨论     

二维声子晶体的对称性对声学带隙的影响

用平面波展开方法计算了正三、四、六、八棱柱体及圆柱体按正方点阵排列的二维水-水银声子晶体的声学带隙结构．首先研究了非圆柱体的旋转对带隙的影响，发现在给定的柱体和（较低的）填充率下带隙宽度的最大值和最小值均出现在晶体结构对称性最高时．通过调节柱体的方位，找出各填充率下的最宽带隙，结果表明：在水／水银系统中，带隙宽度随柱体对称性的提高而增大；在水银／水系统中，除正四棱柱晶体带隙最宽以外，情况正好相反．     

碱土族金属掺杂对C60薄膜的电子结构与性质的影响

将Sn粉末和C60粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的C60薄膜样品，与未掺杂的纯C60样品一起进行扫描电镜，紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量，分析比较掺杂对薄膜样品的组成，结构和性质的影响，结果显示，掺锡后组成薄膜的纳米颗粒略有增大并突出表面，使薄膜的电子发射阈值降低，掺入的Sn原子在禁带中形成杂质能级，使电子吸收跃迁由原来的直接跃迁变为间接跃迁，导电性也由原来的绝缘体变为N型半导体。     

以碳纳米管为模板合成氮化硅纳米丝

用微米级SiO2、Si和混合粉末为原料,用碳纳米管覆盖其上作为模板,以氮气为反应气合成了一维氮化硅纳米线体.测量了不同温度下合成纳米氮化硅的型貌和结构,研究表明温度对纳米丝的直径有相当的影响并对其机理进行了初步探讨,通过X射线衍射分析可知一维纳米氮化硅有一定的晶体性质,对纳米氮化硅进行红外测量,说明了样品结构红外吸收谱具有蓝移和宽化现象.     

碱土族金属掺杂对C_(60)薄膜的电子结构与性质的影响

将Ｓｎ粉末和Ｃ６０粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的Ｃ６０薄膜样品,与未掺杂的纯Ｃ６０样品一起进行扫描电镜、紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量,分析比较掺杂对薄膜样品的组成、结构和性质的影响．结果显示,掺锡后组成薄膜的纳米颗粒略有增大并突出表面,使薄膜的电子发射阈值降低;掺入的Ｓｎ原子在禁带中形成杂质能级,使电子吸收跃迁由原来的直接跃迁变为间接跃迁,导电性也由原来的绝缘体变为Ｎ型半导体．     

气体压强对氮气氛下制备的C60纳米薄膜形貌和光学性质的影响

用扫描电镜、双光束紫外-可见分光光度计和椭偏仪研究了在氮气(N2)氛下制备的C60薄膜的表面形貌及光吸收特性。研究发现，薄膜表面粒子粒径随气压的增大而增大，表面结晶现象也随气压增大而明显；与真空中制备的C60薄膜比较，发现其紫外-可见吸收的相对强度明显不同，吸收峰位红移；并且随着氮气压强的增加吸收峰位红移增加。对氮气氛下C60薄膜的形成机理及光吸收特性进行了讨论。