Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响及其机理

采用传统电子陶瓷工艺制备了ZnO压敏电阻陶瓷,研究了Bi_2O_3的掺杂浓度对压敏陶瓷的显微结构和电学影响。利用多种表征手段对样品的性能进行分析。研究结果表明:压敏陶瓷的主晶相为铅锌矿型结构;随着Bi_2O_3浓度增大,压敏陶瓷的主要衍射峰逐渐向低角度方向偏移,同时出现明显的晶界相,且压敏陶瓷的平均晶粒尺寸呈先增大后减小趋势;当Bi_2O_3浓度为2.5mol%时,压敏陶瓷具有均匀的显微结构和较好的电学参数,此时平均晶粒尺寸D为225nm,击穿场强E_(1mA)达到最小值4600V/cm,非线性系数α达到最大值55.8,电阻在100KHz时的损耗角正切tanδ达到极小值(约0.1),相对介电常数ε_r约为232。所制备的ZnO压敏陶瓷具有较好的压敏特性和较低的损耗,有利于改善ZnO基避雷器的综合性能。     

V_2O_5掺杂对ZnO–Pr_6O_(11)基压敏电阻微观结构和电学性能的影响EI北大核心CSCD

研究了V_2O_5掺杂对ZnO–Pr_6O_(11)基压敏电阻微观结构、电性能的影响。研究表明:随着V_2O_5掺杂量的增加,击穿场强(E_(1mA))从1 068 V/mm增加到1 099 V/mm,后又减小到937 V/mm。当V_2O掺杂量(摩尔分数)为1.0%时,击穿场强达到最高,阻抗最大,相对介电常数ε_r出现最大值,损耗角正切值tanδ达到最小;当V_2O_5掺杂量(摩尔分数)为1.5%时,非线性系数(α)达到最大(47.7),漏电流(JL)降到最小(0.74μA/cm2)。V_2O_5的存在对压敏电阻的性能有显著影响,呈现出优越的性能,特别是击穿电压很高,在电气设备的抗雷击方面具有应用潜能。     

500kV HGIS液压操作机构打压频繁的分析及对策

为排除OM-3型液压操作机构打压频繁故障,在现场高压状态下解体机构油箱,从操作机构工作原理上分析查找故障原因,是合闸一级阀体密封失效造成高压内漏,更换合闸阀体后故障排除。同时建议对运行时间长的此类型机构合闸一级阀进行更换。