光学显微术研究激光晶体Nd:GdVO4

报道用光学显微技术观察Czochralski方发生长的新型激光材料NdGdVO4晶体中的生长缺陷的种类、形态和分布.这些缺陷包括包裹物,色心,开裂,台阶面,位错,小角晶界和位错塞积群.讨论了这些缺陷的形成原因,提出了减少生长缺陷的措施.     

Zn(SCN)_2·2H_2O晶体结构和喇曼光谱的研究

本文报道了一种新的非线性光学晶体Zn(SCN)_2·2H_2O的结构和喇曼光谱。对结构和喇曼光谱的关系进行了讨论。     

非线性光学新晶体——二溴三丙烯基硫脲合镉(ATCB)

本文首次报道了一种非线性光学新材料——二溴三丙烯基硫脲合镉(化学式:Cd(C_4H_8N_2S)_3Br_2,简称ATCB)晶体。介绍了采用降温法自水溶液中生长的过程。已生长出的单晶尺寸为20×20×20mm。研究了ATCB单晶的性质。     

含咔唑基2,2':6',2"-三吡啶衍生物的合成及其光学性质研究

设计合成了含咔唑基团的2,2':6',2"-三吡啶衍生物W1～W3,运用核磁共振氢谱,核磁共振碳谱对目标化合物进行了表征;研究了W1～w3分子的单光子荧光和双光子荧光光谱,并在密度泛函理论水平上,利用少态模型对W1～w3分子进行初步理论研究,理论计算结果与实验结果得到较好的吻合,为寻找新型双光子材料进行了有益的探索.     

宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展

β-Ga2O3作为新型宽禁带半导体材料,近年来受到了人们的广泛关注。β-Ga2O3禁带宽度可达4. 7 e V,相比于第三代半导体SiC和Ga N,具有禁带宽度更大、击穿场强更高、Baliga品质因子更大、吸收截止边更短、生长成本更低的优点,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。此外,β-Ga2O3单晶可以通过熔体法生长,材料制备成本相对较低,有利于大规模应用。重点介绍了β-Ga2O3单晶的生长及工艺优化,然后对晶体加工、性能表征、光电探测及功率器件应用等方面进行了讨论,并展望了β-Ga2O3晶体未来的发展方向。     

干涉法测量Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的压电系数和电光系数

用干涉法首次测量了Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的全部压电系数和电光系数。结果为:d_(14)=-8.8,d_(25)=-15.8,d_(36)=1.2(×10~(-12)C/N);γ41=4.5,γ52=6.4,γ63=0.8(×10~(-12)m/V)。     

气相传输法制备大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带

低维Bi₂Se₃纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料, 在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi₂Se₃纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明: 气相传输法合成的单晶Bi₂Se₃纳米片、纳米带相纯度高, 结晶性能好, 均是{001}取向; Bi₂Se₃纳米片水平尺寸大, 约为15~180 μm; Bi₂Se₃纳米带长度达860 μm, 宽度约5 μm。根据不同温度下制备的Bi₂Se₃纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异, 分析了其可能的生长机制: 在较高温度下沿<001>和方向生长速度快, 生成大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米片; 在较低温度下, 沿方向生长速度快, 生成大尺寸单晶Bi₂Se₃纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi₂Se₃纳米材料的制备工艺, 有望在微电子器件领域得到商业化应用。     

双光子聚合引发剂DBASDMB的结构与光学性能的研究

制备了一种双光子聚合引发剂,反,反-1,4-双（4＇-N,N-二丁胺基苯乙烯）-2,5-二甲氧基苯（DBASDMB）,利用挥发溶剂法首次获得该化合物的晶体,用四圆X射线衍射法解析了晶体结构.结果表明,该晶体属于三斜晶系,P-1空间群;同时证明引发剂分子是具有很好对称性和平面性的全反式结构.仔细研究了该化合物在不同溶剂下的线性吸收光谱和单、双光子荧光谱,并在同一条件下对其单、双光子光谱进行了比较.在760nm的飞秒脉冲激光辐照下,DBASDMB能够高效地引发聚氨酯类丙烯酸酯齐聚物的聚合反应,成功地制作了一个微结构.     

晶体学在有机光电材料研究中的应用

基于有机分子的光、电、磁功能材料因其巨大的产业化前景,一直受到科技界的高度关注,已成为21世纪重要研究方向之一,也取得了一系列重大进展。有机光电功能材料的研究涉及物理、化学、材料、信息、电子乃至生物学等,是名副其实的交叉学科。在有机光电材料的研究中,一个重要的目标就是搞清材料结构与性能之间的关系,利用一系列先进的方法和工具,对材料的各级结构信息进行表征,找到材料特定性能与结构之间的内在联系,为材料的设计与改性提供必要的依据。晶体学作为一个已经诞生100年的方法,在这一进程中起到了关键的作用。从对材料作用机理的认识,到结构与功能关系的探讨,以及功能材料的定向设计,都需要晶体学知识和方法。结合作者课题组近年来在有机光电材料研究过程中一些比较有代表性的研究工作,阐述晶体学在探明材料的光电性能与结构之间的关系,特别是研究一些材料特殊性质的起源中不可或缺的作用。     

两种新型咔唑类双光子光聚合引发剂的合成与光学性质

报道了两种新型的咔唑类双光子光聚合引发剂,3,6-双[2-（4-吡啶基）乙烯基]-9-苯基咔唑（1） 和 3,6-双[2-（2-吡啶基）乙烯基]-9-苯基咔唑（2）,它们是通过钯催化的Heck偶连反应合成得到,并用元素分析,红外光谱,核磁共振氢谱和电喷雾电离质谱等对它们进行了全面的表征.这两个A-π-D-π-A结构的咔唑衍生物具有很好的单光子和双光子荧光行为,我们也详细研究了它们的溶剂效应和作为双光子引发剂用于微结构的制备,并讨论了它们的引发聚合的机理.