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底电极对PYZT铁电薄膜电容器的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
PYZT铁电薄膜电容器的制备采用sol-gel方法,将约500nm厚的PYZT薄膜沉积在Pt/Ti、Pt/SiO2及Pt/RuO2底电极上,基片为Si(111)。详细分析研究了PYZT薄膜在不同底电极,不同快速热处理温度下的晶相结构及PYZT铁电薄膜电容器的小信号特性。研究发现,沉积在Pt/RuO2底电极上的PYZT薄膜经800℃快速热处理具有较接近理想外延PYZT薄膜结构,而且εr随着快速热处理温度升高而减小,在800℃快速热处理条件下其εr约为150。 相似文献
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用过渡金属氧化物MnO2、FeO3、CuO、CO2O3等为主要原料,掺入少量杂质,采用传统的电子陶瓷工艺,制备出红外陶瓷粉料,然后选择合适的粘合剂与粉料混合,调制成常温远红外辐射浆料,涂覆在织物上烘干,在40℃下测得其法向全发射率为87%。 相似文献
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直热式远红外辐射加热器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了直热式远红外辐射加热器的制备工艺。测试出这种加热器具有很高的红外辐射效率,且寿命长、表面绝缘性好、用途广,是一种很有魅力的新型红外辐射源。 相似文献
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