SiC单晶片的超精密加工

半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能.本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理.加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度＜5nm,且应力较小.     

金刚石线锯切割大直径SiC单晶

采用金刚石线切割大直径的SiC单晶,研究了金刚石线锯的切割机理和切割参数,给出切割SiC单晶的实验结果.研究了金刚石线的寿命及各切割参数对线径减少量、翘曲度、表面粗糙度的影响.用光学显微镜观察了磨损的金刚石线和切割表面.     

Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究

利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响.采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响.PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV.ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017 cm-3.     

高透腔面大功率650 nm红光半导体激光器

利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.     

基于北斗定位系统的车辆燃油监测报警系统

基于北斗定位系统设计了一套车辆燃油的监测报警系统,当监测到车辆油箱内的燃油量有异常的减少时,通过报警器发出警告信息提醒驾驶室司机注意,同时向指定手机号码发送报警短信并拨打电话。当司机遇到一些紧急情况时,可以通过安装在驾驶室内的紧急报警按钮向指定号码求救,这些号码可以通过设置接口进行设置。     

PIN结构发光二极管反向击穿特性分析

通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管（LED）反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP—MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱（MOW）有源区A1GaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合。同时获得了AlGaInP MOW结构的临界反向击穿电场强度数值。这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考。