High—temperature protective coatings on superalloys

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＳｕｐｅｒａｌｌｏｙｓａｎｄｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅｃｏａｔｉｎｇｓａｒｅｐｌａｙｉｎｇｔｈｅｅｓｓｅｎｔｉａｌａｎｄｉｍｐｏｒｔａｎｔｒｏｌｅｉｎｔｈｅｆｉｅｌｄｓｏｆｍｏｄｅｒｎｅｎｅｒｇｙ ｓｏｕ     

液滴外延自组织GaAs纳米结构

介绍了利用液滴外延法在晶格匹配体系AlGaAs/GaAs上自组织生长几种GaAs纳米结构.实验证实Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,如量子点、量子单环、量子双环、耦合量子双环和中国古币形状等.本文对这些纳米结构的生长机制进行了讨论.     

SOI材料上硅薄膜电池的研究

用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(SiliconOnInsulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的SiN,薄膜电池的电极全部由正面引出,制成的23μm厚薄膜电池的光电转换效率为8 12%(1×1cm2,AM1 5,23℃)。扩展电阻的测量表明电池有良好的PN结特性;量子效率测量表明SiN比常规的热氧化SiO2有更好的减反射和钝化作用;电池的暗特性表明电池具有较高的串联电阻,并分析了正面引电极对串联电阻的影响。     

稀土区奇—奇核半退耦带旋称反转形成机制的探讨

近年来,奇-奇核高自旋核谱学,特别是奇-奇核低自旋区旋称能量劈裂异常（通常称为旋称反转（signature inversion））已成为高自旋态研究的热门课题之一。在正常情况下,优惠（favored）旋称能态低于非优惠（unfavored）旋称能态。实验发现,稀土奇-奇核晕带和半退耦带低自旋区普遍存在旋称反转现象,即非优惠旋称能态低于优惠称能态的反常劈裂。对这种反常现象有各种理论解释,目前仍无定论。系统总结该领域的实验现象,揭示其系统性规     

低能V+注入花生种子的深度研究

用扫描电子显微镜和X射线能谱仪测定了低能V 注入干花生种子的穿透深度 浓度分布。结果表明 :这种分布是有长拖尾的高斯分布 ;2 0 0keV的V 注入干花生种子的最大穿透深度为 1 3 6 μm。比较了实验结果与TRIM95的计算值。     

空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较

研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109～5×1013cm-2的变化.实验表明,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场Si太阳电池性能参数Isc、Voc和Pmax衰降变化快,辐照注量为2×1010cm-2时,Pmax就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8×1011cm-2,且其Isc、Voc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3×1012cm-2时才迅速下降.背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与质子辐照引入的Ev+0.14eV及Ev+0.43eV和Ec-0.41eV深能级有关.     

氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究

采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高 质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到 的表面形貌,并采用扩散法和正面引电极的方法初步探索了电池的制备工艺,电池的开路电压达到196mV,短 路电流为200μA。     

非线性效应的新见解——法国Aussois会议报道

非线性光学中新的实验结果正在向已经建立的理论提出挑战。过去人们广泛假设， 二级效应(正比于电磁场的平方)一般总是比和更高次幂的场成正比的效应弱。但是在英国和美国的实验室中，半导体中更高次的非线性效应已经以惊人的量级表现出来。毫瓦激光器已经产生了历来认为需要高得多的激光强度才能产生的效应。一些专家甚至得出了这样的结论：对某些材料,特别是砷化镓和锑化铟，低次与高次非线性现象之间的区别与基本理论的解释可能不相符。     

低能N+注入与γ辐射拟南芥对可溶性蛋白和淀粉酶(AMY)、酯酶(EST)酶活和同工酶影响的比较分析

通过对N^ 注入与γ辐射处理后的拟南芥发芽势的统计分析,以及可溶性蛋白含量、M1和M2代拟南芥淀粉酶(AMY)和酯酶(EST)的活性、同工酶电泳图谱和基因组的RAPD分析,发现注入合适剂量的N^ 可以促进拟南芥的发芽率,而γ射线辐射对发芽率起抑制作用。可溶性蛋白、酶的活性和同工酶分析表明,离子注入与电离辐射的生物学效应有很大不同,特别是两种处理的剂量-效应关系明显不同,N^ 注入的剂量-效应关系呈特有的类“马鞍型”,γ射线辐射的剂量-效应关系呈“直线型”相关。结合RAPD初步分析,表明拟南芥同工酶的变化主要来自DNA的变异,并且是可以真实遗传的。     

Au离子注入花生种胚深度的研究

使用金属蒸汽真空孤离子源（MEVVA源）离子注入机对花生种胚进行Au离子的注入，采用卢瑟福背散射（RBS）和X射线能谱分析（EDAX）法测量Au元素在花生种子中的深度分布，并观察注入前后的样品形貌。结果表明，由于样品表面粗糙，RBS不适于测量Au元素在花生种子中的浓度分布，而EDAX的测量则显示Au元素在花生种子的最大穿透深度可达15μm。另外本文还讨论了离子注入的诱变机理。