蛛网膜下腔出血误诊一例诊治体会

针对颅内血管破裂后血液流入蛛网下脸在临床易于误诊的实际情况，介绍一例蛛网膜下腔出血病例误诊的体会。     

LIGA工艺的发展及应用

介绍了LIGA(lithographie,galvanoformungandabformung)技术以及在此基础上开发出来的准LIGA(like－LIGA)技术、SLIGA(sacrificialLIGA)、M2LIGA(movingmaskLIGA)技术和抗蚀剂回流LIGA(PRLIGA———photoresistreflowLIGA)技术等。利用这一系列LIGA技术,可以生成具有高深宽比的复杂微结构,如微尖阵列、球形曲面、活动部件等,能较好地满足MEMS发展的需要。最后指出了目前这些方法存在的缺陷。     

STM微位移工作台的遗传神经网络控制技术

为了提高扫描隧道显微镜微位移工作台的定位精度,提出了一种基于遗传算法的神经网络PID控制方案。微位移工作台以压电陶瓷为驱动器、柔性铰链为导向机构,在分析工作原理的基础上,建立了工作台的数学模型。神经网络PID控制器对工作台进行闭环控制,能够在线调整网络加权值,实时改变PID控制器的系数,减小工作台的位移误差。利用遗传算法的全局搜索能力对BP网络的初始权值进行学习优化,有效消除了神经网络对初始权值敏感和容易局部收敛的缺陷,改善了控制器的控制效果。性能测试表明,12μm阶跃参考输入下的稳态误差从3.24%减小到2.55%,稳态时间从1.7 s缩短到1.1 s。     

基于低能电子束的光刻技术

讨论了聚焦电子束曝光中的邻近效应问题,阐述了扫描隧道显微镜的原理和工作方式。把扫描隧道显微技术用于低能电子束的光刻,不仅能提高图形的分辨率,而且使电子束加工工艺不再局限于真空环境。对曝光电子的能量和线条宽度之间的关系进行了分析。     

低能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟

考虑二次电子的产生和散射，利用Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的低能入射电子束斑在抗蚀剂中的散射过程，分别得到了电子束在抗蚀剂中的穿透深度和能量沉积的分布图。发现在能量小于2．5keV范围内的模拟结果与实验结果相吻合，这比用传统的不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程，精度更高。另外还发现电子束能量越低，曝光的分辨率和效率越高，这一结果也与实验相吻合。结果表明，二次电子的产生和散射对电子束曝光起了重要的作用，需考虑它们的影响。     

微机电系统的微细加工技术

详细阐述了硅微加工工艺以及近几年内国际上开发的一些新的加工技术,如3D电化学微加工、EFAB工艺等,并提出了目前这些方法中存在的缺陷。     

电子束光刻中的相互邻近效应校正技术研究

本文研究了基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术,在内部邻近效应校正的基础上,在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中,采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口机制。局部曝光窗口的区域小,对计算精度影响大,采用累积求和的方法进行精确计算;全局曝光窗口区域大,对计算精度影响小,采用大像点近似的方法进行计算,从而更快速地实现邻近效应校正。该技术的应用,满足了校正精度和运算速度两方面的要求。实验结果与模拟结果一致,表明通过采用局部曝光窗口和全局曝光窗口机制,能够快速地实现相互邻近效应校正,在校正精度相同的情况下,有效提高了运算速度。     

电子束光刻中的内部邻近效应校正技术研究

研究了基于图形几何尺寸修正的电子束光刻的内部邻近效应校正技术,利用累积分布函数预先进行内部最大矩形和顶点矩形的快速计算,并把它们存储在矩阵中。在校正过程中,根据初始矩形的尺寸,通过访问矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换。矩阵的预先建立,最大限度地减小了校正过程中的计算强度。模拟结果表明,通过内部最大矩形和顶点矩形的替换,能够快速地实现内部邻近效应校正,校正时间与被校正图形数目成线性关系增加。在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度。     

电子束曝光中电子散射模型的优化

提出了在0.1 keV～30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案.在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面.而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV＜E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Jov修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Grvzinskv截面和Moller截面计算离散的能量损失率.发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高.     

非线性曲线拟合法确定邻近效应参数

为了更精确地确定邻近效应参数,借助优化的电子散射模型,利用改进的Monte Carlo算法模拟了电子束在固体中的散射过程,得到了不同曝光条件下抗蚀剂中的能量沉积分布。利用最小二乘非线性曲线拟合法对该分布进行了双高斯拟合,得到了邻近效应参数α,β和η的值,并与实验结果进行了比较发现,最小二乘非线性曲线拟合法可以用于邻近效应参数的确定。对不同曝光条件的参数拟合显示,增加入射电子束能量,α减小,β增大,而η几乎不变;增加抗蚀剂厚度,α增大,β和η变化不明显;增大衬底材料原子序数,β减小,η增大,而α几乎不变。所得结果不但能为电子束曝光条件的优化、邻近效应的降低提供理论指导,而且还能为邻近效应校正快速地提供精确的参数。