SiC功率器件辐照效应研究进展

SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件（SiC SBD、 SiC JBS、 SiC MOSFET）在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理,为SiC功率器件抗辐射技术的长远发展提供了参考。     

CMMB市一县骨干传输平台建设方案浅析

CMMB（China Mobile Multimedia Broadcasting）主要面向手机、PDA等小屏幕便携手持终端以及车载电视等移动终端和流动人群提供广播电视服务。论述CMMB前端架构及市一县传输的必要性及3种传输方案,针对存在的同步问题给出解决方法。     

微机动态轨道衡检定及误差分析

微机动态轨道衡的检定不但是对使用中的动态轨道衡进行的一次检测、而且是检验其是否合格的唯一标准，检测数据是全面评价微机动态轨道衡性能指标的重要依据，而通过对数据处理和对误差分析，可以合理修正其误差，提高计量精度，更好地为生产经营服务。     

采矿质量控制过程方法的探讨与应用

通过建立采矿过程中质量控制模型,采用过程预防、过程控制及质量改进等手段,在过程诊断中找出了质量控制方法和重点控制问题,从而提高了采矿质量。在产量增加373414t的情况下,出矿品位提高1.39个百分点,选矿废石甩出率降低2.81个百分点,年直接经济效益2000万元以上。     

GaN基MOSFET低温特性的实验表征及分析

深空探测活动需要电子元器件在极端低温环境（T<40 K）中能正常使用。基于低温环境下的应用需求,本文研究了GaN基MOSFET在15～300 K温区的低温环境效应。实验结果显示,随着温度逐渐从300 K降低到15 K,饱和漏极电流和阈值电压均增大。低温下,转移特性和输出特性均变好。分析发现,较高的电子迁移率是GaN基MOSFET低温下电特性变化的主要原因。     

柔性倒置赝型三结太阳电池高能质子辐射效应研究

为考察柔性薄膜GaInP/GaAs/InGaAs倒赝型三结（IMM3J）太阳电池的抗辐照性能,本文对其进行了1、3、5 MeV高能质子辐照。SRIM模拟结果表明,1、3、5 MeV质子辐照在IMM3J电池中造成均匀的位移损伤。光特性(LIV)结果表明,开路电压(Voc)、短路电流(Isc)和最大输出功率(Pmax)与质子注量呈对数退化规律。通过非电离能量损失（NIEL）将不同能量质子的注量转化为位移损伤剂量（DDD）,结果显示,Voc和Pmax与DDD呈对数退化规律,而Isc遵循两种不同的退化规律。光谱响应测试证明,GaInP子电池具有优异的抗辐照性能,3个子电池中InGaAs(10 eV)子电池的抗辐照性能最差。