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用磁控溅射方法制备了系列 (Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 ) x(Al2 O3) 1 -x颗粒膜样品 ,体积百分比x从 0 .3 3～ 0 .63 ,样品厚度约为10 0nm。室温下在Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 体积百分比x =0 .43时得到 17.5 μΩ·cm的最大饱和霍耳电阻率 ,比纯铁磁金属提高了 3～ 4个量级。对其磁性和微结构进行了研究 ,样品霍耳电阻率随外场的变化曲线 ρxy～H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M～H有相似性 ,说明霍尔电阻率 ρxy与磁化强度M相关。样品电阻率 ρxx随金属体积百分比x的减小而增加 ,在x =0 .43附近发生突变 ,从金属导电变为绝缘体。根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨 相似文献
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用磁控溅射方法制备了系列(Fe0.86Zr0.033Nb0.033B0.068Cu0.01)x(Al2O3)1-x颗粒膜样品,
体积百分比x从0.33～0.63, 样品厚度约为100 nm. 室温下在Fe0.86Zr0.033Nb0.033B0.068Cu0.01体积百分比x＝0.43时得到17.5
μΩ*cm的最大饱和霍耳电阻率, 比纯铁磁金属提高了3～4个量级.
对其磁性和微结构进行了研究, 样品霍耳电阻率随外场的变化曲线ρxy～H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M～H有相似性,
说明霍尔电阻率ρxy与磁化强度M相关. 样品电阻率ρxx随金属体积百分比x的减小而增加,
在x＝0.43附近发生突变, 从金属导电变为绝缘体.
根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨. 相似文献
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